ZHCSX92G December   2008  – October 2024 TS3USB30E

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 Pin Configuration and Functions
  6. 5 Specifications
    1. 5.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 5.2 ESD Ratings
    3. 5.3 Recommended Operating Conditions
    4. 5.4 Thermal Information
    5. 5.5 Electrical Characteristics
    6. 5.6 Dynamic Electrical Characteristics
    7. 5.7 Switching Characteristics
    8. 5.8 Typical Characteristics
  7. 6 Parameter Measurement Information
  8. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
    4. 7.4 Device Functional Modes
  9. 8 Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
    2. 8.2 Typical Application
      1. 8.2.1 Design Requirements
      2. 8.2.2 Detailed Design Procedure
      3. 8.2.3 Application Curves
    3. 8.3 Power Supply Recommendations
    4. 8.4 Layout
      1. 8.4.1 Layout Guidelines
      2. 8.4.2 Layout Example
  10. 9 Device and Documentation Support
    1. 9.1 Documentation Support
      1. 9.1.1 Related Documentation
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 Trademarks
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10Revision History
  12. 11Mechanical, Packaging, and Orderable Information

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

1 特性

  • 在 2.7V 至 4.3V VCC 下运行
  • D+/D– 引脚可承受高达 5.25V 的电压
  • 1.8V 兼容控制引脚输入
  • IOFF 支持局部断电模式运行
  • RON = 10Ω（最大值）
  • ΔRON = 0.35Ω（典型值）
  • Cio(ON) = 7.5pF（典型值）
  • 低功耗（最大值为 70nA）
  • –3dB 带宽= 1400MHz（典型值）
  • 闩锁性能超过
    100mA，符合 JESD 78 II 类规范的要求(1)
  • ESD 性能测试符合 JESD 22 标准
    • 8000V 人体放电模型
      （A114-B，II 类）
    • 1000V 充电器件模型 (C101)
  • I/O 端口（相对于 GND）的 ESD 性能(2)
    • 15000V 人体放电模型
  • 采用 10 引脚 UQFN (1.8mm × 1.4mm) 封装
1. OE 和 S 输入除外
2. 除标准 HBM 测试（A114-B，II 类）外还执行了高压 HBM 测试，仅适用于相对于 GND 进行测试的 I/O 端口。