ZHCSOX7A July   2024  – November 2024 TRF1108

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 交流耦合配置
      2. 6.3.2 直流耦合配置
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 断电模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 散热注意事项
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 射频 DAC 缓冲器放大器
        1. 7.2.1.1 设计要求
        2. 7.2.1.2 详细设计过程
        3. 7.2.1.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
      1. 7.3.1 单电源供电
      2. 7.3.2 双电源运行
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 文档支持
      1. 8.1.1 相关文档
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • RPV|12
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.3.1 单电源供电

TRF1108 针对交流耦合应用支持 5V 单电源运行。电源去耦对于高频性能至关重要。通常使用两个或三个电容器进行 VDD 电源去耦。在最靠近器件 VDD 引脚的位置使用一个 220nF 小型 0201 尺寸元件。在小型电容器旁边使用 0402 尺寸 2.2μF 大容量去耦电容器。可以进一步使用铁氧体磁珠来滤除电源噪声。对于单个电源运行，将 VSS 短接至射频接地；不需要单独的 VSS 平面。另请参阅节 7.4。