ZHDS083A February   2026  – March 2026 TPS7N59

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 输出电压设置和调节
      2. 6.3.2 低噪声、超高电源抑制比 (PSRR)
      3. 6.3.3 可编程软启动
      4. 6.3.4 精密使能和 UVLO
      5. 6.3.5 电源正常引脚（PG 引脚）
      6. 6.3.6 有源放电
      7. 6.3.7 热关断保护 (TSD)
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 正常运行
      2. 6.4.2 压降运行
      3. 6.4.3 禁用
      4. 6.4.4 以电流限制模式运行
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1  精密使能（外部 UVLO）
      2. 7.1.2  欠压锁定 (UVLO) 操作
        1. 7.1.2.1 IN 引脚 UVLO
        2. 7.1.2.2 偏置 UVLO
        3. 7.1.2.3 典型 UVLO 运行
      3. 7.1.3  压降电压 (VDO)
      4. 7.1.4  输入和输出电容器要求（CIN 和 COUT）
      5. 7.1.5  建议的电容器类型
      6. 7.1.6  软启动、降噪（NR/SS 引脚）和电源正常状态（PG 引脚）
      7. 7.1.7  优化噪声和 PSRR
      8. 7.1.8  可调节运行
      9. 7.1.9  负载瞬态响应
      10. 7.1.10 时序控制
      11. 7.1.11 电源正常状态指示功能
      12. 7.1.12 电流模式裕量调节
      13. 7.1.13 电压模式裕量调节
      14. 7.1.14 功率耗散 (PD)
      15. 7.1.15 估算结温
      16. 7.1.16 TPS7N58EVM-184 散热分析
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 接收文档更新通知
    2. 8.2 支持资源
    3. 8.3 商标
    4. 8.4 静电放电警告
    5. 8.5 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息
    1.     66

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • RTW|24
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.4.2 压降运行

如果输入电压低于标称输出电压与指定压降电压之和，但仍满足正常工作模式的所有其他条件，则器件将工作在压降模式。在此模式下，输出电压会跟踪输入电压减去 VDO。在压降运行模式下，由于导通晶体管位于欧姆或三极管区域并充当开关，因此器件的瞬态性能会显著降低。压降过程中的线路或负载瞬态可能会导致输出电压偏差较大。

注： 与具有两个电源轨（BIAS 和 IN）的传统 N 型场效应晶体管 (NMOS) LDO 不同，TPS7N59 无法进入 OUT 至 BIAS 压降模式。为确保正常运行，建议 VBIAS 至少为 VREF + 3.2V，以维持电压高于 UVLO(BIAS)。

如需更多信息，请参阅欠压锁定 (UVLO) 操作 部分。