ZHCSYC9A May   2025  – November 2025 TPS7H4012-SEP , TPS7H4013-SEP

PRODMIX  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 器件选项表
  7. 6 引脚配置和功能
  8. 7 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 建议运行条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 质量合格检验
    7. 7.7 典型特性
  9. 8 参数测量信息
  10. 9 详细说明
    1. 9.1 概述
    2. 9.2 功能方框图
    3. 9.3 特性说明
      1. 9.3.1 VIN 和功率 VIN 引脚（VIN 和 PVIN）
      2. 9.3.2 电压基准
      3. 9.3.3 电压检测和设置 VOUT
        1. 9.3.3.1 最小输出电压
        2. 9.3.3.2 最大输出电压
      4. 9.3.4 启用
      5. 9.3.5 电源正常 (PWRGD)
      6. 9.3.6 可调开关频率和同步
        1. 9.3.6.1 内部时钟模式
        2. 9.3.6.2 外部时钟模式
      7. 9.3.7 导通行为
        1. 9.3.7.1 软启动 (SS_TR)
        2. 9.3.7.2 安全启动至预偏置输出电压
        3. 9.3.7.3 跟踪和时序控制
      8. 9.3.8 保护模式
        1. 9.3.8.1 过流保护
          1. 9.3.8.1.1 高侧 1 过流保护 (HS1)
          2. 9.3.8.1.2 高侧 2 过流保护 (HS2)
          3. 9.3.8.1.3 COMP 关断
          4. 9.3.8.1.4 低侧过流灌电流保护
        2. 9.3.8.2 输出过压保护 (OVP)
        3. 9.3.8.3 热关断
      9. 9.3.9 误差放大器和环路响应
        1. 9.3.9.1 误差放大器
        2. 9.3.9.2 功率级跨导
        3. 9.3.9.3 斜率补偿
        4. 9.3.9.4 频率补偿
    4. 9.4 器件功能模式
  11. 10应用和实施
    1. 10.1 应用信息
    2. 10.2 典型应用
      1. 10.2.1 设计要求
      2. 10.2.2 详细设计过程
        1. 10.2.2.1  运行频率
        2. 10.2.2.2  输出电感器选型
        3. 10.2.2.3  输出电容器选型
        4. 10.2.2.4  输入电容器选型
        5. 10.2.2.5  软启动电容器选型
        6. 10.2.2.6  上升 VIN 设定点（可配置 UVLO）
        7. 10.2.2.7  输出电压反馈电阻器选择
        8. 10.2.2.8  输出电压精度
        9. 10.2.2.9  斜率补偿要求
        10. 10.2.2.10 补偿元件选择
        11. 10.2.2.11 肖特基二极管
      3. 10.2.3 应用曲线
      4. 10.2.4 反相降压/升压转换器
    3. 10.3 电源相关建议
    4. 10.4 布局
      1. 10.4.1 布局指南
      2. 10.4.2 布局示例
  12. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 第三方产品免责声明
      2. 11.1.2 相关文档
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 支持资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 静电放电警告
    6. 11.6 术语表
  13. 12修订历史记录
  14. 13机械、封装和可订购信息
    1.     82

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DDW|44
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5 器件选项表

通用器件型号 辐射等级(1) 等级(2) 封装 可订购器件型号
TPS7H4012SP TID 为 100krad(Si) RLAT，不考虑 DSEE 的影响为 75MeV-cm2/mg QMLV-RHA 20 引脚 CFP HLC 5962R2122105VZC(4)
QMLP-RHA(3) 44 引脚 HTSSOP DDW 5962R2122103PYE(4)
无 工程模型(3) 20 引脚 CFP HLC TPS7H4012HLC/EM(4)
TPS7H4012-SEP TID 为 50krad(Si) RLAT，不考虑 DSEE 的影响为 43MeV-cm2/mg 增强型航天塑料 44 引脚 HTSSOP DDW TPS7H4012MDDWTSEP
TPS7H4013SP TID 为 100krad(Si) RLAT，不考虑 DSEE 的影响为 75MeV-cm2/mg QMLV-RHA 20 引脚 CFP HLC 5962R2122106VZC(4)
QMLP-RHA(3) 44 引脚 HTSSOP DDW 5962R2122104PYE(4)
无 工程模型(3) 20 引脚 CFP HLC TPS7H4013HLC/EM(4)
TPS7H4013-SEP TID 为 50krad(Si) RLAT，不考虑 DSEE 的影响为 43MeV-cm2/mg 增强型航天塑料 44 引脚 HTSSOP DDW TPS7H4013MDDWTSEP
SN0020HLC 不适用 机械“虚拟”封装（无芯片） 20 引脚 CFP HLC SN0020HLC
(1) TID 是总电离剂量，DSEE 是破坏性单粒子效应。每个产品的关联 TID 报告和 SEE 报告中提供了额外信息。
(2) 有关器件等级的其他信息，请查看“器件等级”。
(3) 这些器件仅适用于工程评估。它们按照不合规流程进行处理（例如，未进行老化处理，仅在 25°C 下进行测试）。这些器件不适用于鉴定、量产、辐射测试或飞行。器件在温度范围以外或超过使用寿命时的性能不受保证。
(4) 产品预发布。