ZHCSZ61 November   2025 TPS7E82-Q1

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 使能 (EN)
      2. 6.3.2 压降电压
      3. 6.3.3 欠压锁定
      4. 6.3.4 热关断
      5. 6.3.5 折返电流限制
      6. 6.3.6 功率限制
      7. 6.3.7 输出下拉电阻
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 器件功能模式比较
      2. 6.4.2 正常运行
      3. 6.4.3 压降运行
      4. 6.4.4 禁用
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 可调器件反馈电阻器选择
      2. 7.1.2 建议的电容器类型
      3. 7.1.3 输入和输出电容器选择
      4. 7.1.4 反向电流
      5. 7.1.5 前馈电容
      6. 7.1.6 压降电压
      7. 7.1.7 估算结温
      8. 7.1.8 功率耗散 (PD)
      9. 7.1.9 功率耗散与环境温度之间的关系
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 选择反馈电阻器
      3. 7.2.3 电源相关建议
      4. 7.2.4 布局
        1. 7.2.4.1 布局指南
        2. 7.2.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 开发支持
      2. 8.1.2 器件命名规则
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.3.6 功率限制

该器件有一个内部过功率限制电路，可在内部 SOA（安全工作区）限制内限制 LDO 上的功率耗散。LDO 因素在确保硅元件及封装中使用的键合线安全运行方面由 SOA 限制。这些限制可验证器件的可靠运行，并防止器件失效因过热、击穿或其他损坏效应而产生。

LDO 上耗散的功率 (PDissip) 由 LDO 两端的压降 (VIN - V OUT) 及流经的负载电流 (IL) 定义。

方程式 2. P D i s s i p   =   V I N   -   V O U T   ×   I O U T

功率限制电路可监测 LDO 上的压降（余量，VIN - VOUT）和流经的输出负载电流 (IOUT)。如果 PDissip 超过定义的 SOA 限制，则功率限制电路会限制流经的负载电流 (IOUT)。当器件处于功率限制操作状态时，不会调节输出电压。节 5.5 中记录了满余量 (VIN - VOUT = 40V) 下支持的最大电流 (IPLIMIT) 和满负载电流下支持的最大余量 (VPHEADROOM)。

图 6-6 展示了功率限制图。

TPS7E82-Q1 功率限制图 6-6 功率限制