ZHCSKA4B December   2008  – September 2019 TPS737-Q1

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
    1.     Device Images
      1.      典型应用电路
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 Pin Configuration and Functions
    1.     Pin Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Typical Characteristics
  7. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagrams
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1 Output Noise
      2. 7.3.2 Internal Current Limit
      3. 7.3.3 Enable Pin and Shutdown
      4. 7.3.4 Reverse Current
      5. 7.3.5 Thermal Protection
    4. 7.4 Device Functional Modes
  8. 8 Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
    2. 8.2 Typical Application
      1. 8.2.1 Design Requirements
      2. 8.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 8.2.2.1 Input and Output Capacitor Requirements
        2. 8.2.2.2 Dropout Voltage
        3. 8.2.2.3 Transient Response
      3. 8.2.3 Application Curves
  9. 9 Power Supply Recommendations
  10. 10Layout
    1. 10.1 Layout Guidelines
      1. 10.1.1 Improve PSRR and Noise Performance
      2. 10.1.2 Power Dissipation
    2. 10.2 Layout Example
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 相关文档
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 社区资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 静电放电警告
    6. 11.6 Glossary
  12. 12机械、封装和可订购信息
    1. 12.1 封装

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

TPS737xx-Q1 线性低压降 (LDO) 稳压器系列在电压跟随器配置中使用了 NMOS 旁路元件。该拓扑结构对输出电容值和等效串联电阻 (ESR) 的敏感度相对较低，从而实现多种负载配置。即使使用 1µF 的小型陶瓷输出电容器，也能实现出色的负载瞬态响应。NMOS 拓扑结构也可实现极低压降。

TPS737xx-Q1 系列利用先进的 BiCMOS 工艺实现高精度，同时提供极低的压降和低接地引脚电流。未启用时的电流消耗低于 20nA，适用于便携式 应用。这些器件受到热关断和折返电流限制的保护。

器件信息(1)

器件型号 封装 封装尺寸（标称值）
TPS737-Q1 VSON (8) 3.00mm × 3.00mm
  1. 要了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。