ZHCSRO3D September   2010  – March 2026 TPS723-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 功率耗散额定值（旧芯片）
    5. 5.5 热信息（新芯片）
    6. 5.6 电气特性
  7. 6 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 启用
      2. 7.3.2 电流限值
      3. 7.3.3 压降电压
      4. 7.3.4 输出上拉
      5. 7.3.5 热关断
      6. 7.3.6 欠压锁定 (UVLO)
      7. 7.3.7 NR 和可编程软启动
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 器件功能模式比较
      2. 7.4.2 正常运行
      3. 7.4.3 压降运行
      4. 7.4.4 禁用
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 可调器件反馈电阻器选择
      2. 8.1.2 建议的电容器类型
      3. 8.1.3 输入和输出电容器选择
      4. 8.1.4 反向电流
      5. 8.1.5 前馈电容器 (CFF)
      6. 8.1.6 功率耗散 (PD)
      7. 8.1.7 估算结温
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 输出噪声
      2. 8.2.2 设计要求
      3. 8.2.3 电源抑制
      4. 8.2.4 应用曲线
    3. 8.3 最佳设计实践
    4. 8.4 电源相关建议
    5. 8.5 布局
      1. 8.5.1 布局指南
      2. 8.5.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 开发支持
        1. 9.1.1.1 Spice 模型
      2. 9.1.2 器件命名规则
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.3.5 热关断

该器件包含一个热关断保护电路，用于在导通晶体管的结温 (TJ) 上升到 TSD(shutdown)（典型值）时禁用器件。热关断迟滞确保器件在温度降至 TSD(reset)（典型值）时复位（导通）。

半导体芯片的热时间常数相当短，因此当达到热关断时，器件可以循环开关，直到功率耗散降低。由于器件上的 VOUT – VIN 压降较大，或为大型输出电容器充电的浪涌电流较高，启动期间的功率耗散可能较高。在某些情况下，热关断保护功能会在启动完成之前禁用器件。

为了实现可靠运行，请将结温限制在节 5.3 表中列出的最大值。在超过这个最高温度的情况下运行会导致器件超出运行规格。虽然器件的内部保护电路旨在防止总体发热情况，但此电路并不用于替代适当的散热。使器件持续进入热关断状态或在超过建议的最高结温下运行会降低长期可靠性。