ZHCSRO3D September   2010  – March 2026 TPS723-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 功率耗散额定值（旧芯片）
    5. 5.5 热信息（新芯片）
    6. 5.6 电气特性
  7. 6 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 启用
      2. 7.3.2 电流限值
      3. 7.3.3 压降电压
      4. 7.3.4 输出上拉
      5. 7.3.5 热关断
      6. 7.3.6 欠压锁定 (UVLO)
      7. 7.3.7 NR 和可编程软启动
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 器件功能模式比较
      2. 7.4.2 正常运行
      3. 7.4.3 压降运行
      4. 7.4.4 禁用
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 可调器件反馈电阻器选择
      2. 8.1.2 建议的电容器类型
      3. 8.1.3 输入和输出电容器选择
      4. 8.1.4 反向电流
      5. 8.1.5 前馈电容器 (CFF)
      6. 8.1.6 功率耗散 (PD)
      7. 8.1.7 估算结温
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 输出噪声
      2. 8.2.2 设计要求
      3. 8.2.3 电源抑制
      4. 8.2.4 应用曲线
    3. 8.3 最佳设计实践
    4. 8.4 电源相关建议
    5. 8.5 布局
      1. 8.5.1 布局指南
      2. 8.5.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 开发支持
        1. 9.1.1.1 Spice 模型
      2. 9.1.2 器件命名规则
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.1.3 输入和输出电容器选择

对于新芯片：TPS723Q1（新芯片）需要一个 2.2µF 或更大（1.0µF 或更大电容）的输出电容器来实现稳定性，并需要一个介于 0.0Ω 和 0.5Ω 之间的等效串联电阻 (ESR)。为了获得出色瞬态性能，请使用 X5R 和 X7R 类型的陶瓷电容器，因为这些电容器的值和 ESR 随温度的变化极小。为特定应用选择电容器时，请注意电容器的直流偏置特性。较高的输出电压会导致电容器显著降额。

对于新芯片：尽管不需要输入电容器来实现稳定性，但良好的模拟设计实践是将电容器从 IN 连接到 GND。一些输入电源具有高阻抗，因此将输入电容器放置在输入电源上有助于降低输入阻抗。该电容可抵消电抗性输入源，并改善瞬态响应、输入纹波和 PSRR。如果输入电源在大范围的频率上具有高阻抗，则可以并联使用几个输入电容器来降低频率上的阻抗。如果有可能出现较大、快速上升时间的负载瞬态或者器件距离输入电源几英寸远，请使用一个更大电容值的电容器。

对于旧芯片：应针对预期应用使用适当的输入和输出电容器。TPS723Q1（旧芯片）仅需使用 2.2μF 陶瓷输出电容器即可稳定运行。电容值和等效串联电阻 (ESR) 都会影响稳定性、输出噪声、PSRR 和瞬态响应。对于典型应用，靠近稳压器放置一个 2.2µF 陶瓷输出电容器就足够了。