ZHCSQ42A December 2023 – January 2024 TPS61289
PRODUCTION DATA
对于所有开关电源，尤其是以高开关频率和高电流运行的开关电源，布局设计是一个重要的设计步骤。如果未仔细布局，稳压器可能会出现不稳定和噪声问题。为了更大限度地提高效率，开关上升和下降时间非常短。为了防止高频噪声（例如 EMI）辐射，高频开关路径的正确布局至关重要。尽量减小连接到 SW 引脚的所有布线的长度和面积，并始终在开关稳压器下方使用接地平面，以更大限度地减少平面间耦合。
此双向降压/升压转换器最关键的电流路径是从外部低侧 MOSFET 到集成高侧 MOSFET，然后到 VHIGH 侧电容器，再返回到外部低侧 MOSFET 的源极。这个高电流路径包含纳秒级上升和下降时间，必须尽可能短以减少寄生电感。因此，VHIGH 侧输出电容不仅必须靠近 VHIGH 引脚，而且还必须靠近外部低侧 MOSFET 的源极引脚，以减少 SW 引脚和 VHIGH 引脚处的尖峰。
PGND 平面和 AGND 平面在 VCC 电容器的端子上连接。因此，由 MOSFET 驱动器和寄生电感引起的噪声不会影响到 AGND 和内部控制电路。
设计布局时还必须充分考虑散热问题，因为这是一款高功率密度器件。可改善封装散热性能的 VLOW、SW 和 VHIGH 必须与大型多边形进行焊接。在网络下方使用散热过孔可以提高热性能。