ZHCSMS0L October   2002  – August 2026 TPS61040 , TPS61041

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 峰值电流控制
      2. 6.3.2 软启动
      3. 6.3.3 启用
      4. 6.3.4 欠压锁定
      5. 6.3.5 热关断
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 运行
  8. 7 应用和实现
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 电感器选择，最大负载电流
        2. 7.2.2.2 设置输出电压
        3. 7.2.2.3 线性和负载调整率
        4. 7.2.2.4 输出电容器选型
        5. 7.2.2.5 输入电容器选型
        6. 7.2.2.6 二极管选型
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 系统示例
    4. 7.4 电源相关建议
    5. 7.5 布局
      1. 7.5.1 布局指南
      2. 7.5.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 第三方产品免责声明
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DBV|5
  • DDC|5
  • DRV|6
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5.5 电气特性

VIN = 2.4V，EN = VIN，TA = –40°C 至 85°C，典型值为 TA = 25°C 时测得的值（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
电源电流
VIN 输入电压范围 1.8 6 V
IQ 工作静态电流 IOUT = 0mA，不切换，VFB = 1.3V 28 50 μA
ISD 关断电流 EN = GND 0.1 1 μA
VUVLO 欠压锁定阈值 1.5 1.7 V
ENABLE
VIH EN 高电平输入电压 1.3 V
VIL EN 低电平输入电压 0.4 V
II EN 输入漏电流 EN = GND 或 VIN 0.1 1 μA
电源开关和电流限制
Vsw 最大开关电压 30 V
toff 最短关断时间 250 400 550 ns
ton 最大导通时间 4 6 7.5 μs
RDS(on) MOSFET 导通电阻 VIN = 2.4V；ISW = 200mA；TPS61040 600 1000 mΩ
RDS(on) MOSFET 导通电阻 VIN = 2.4V；ISW = 200mA；TPS61041 750 1250 mΩ
MOSFET 漏电流 VSW = 28V 1 10 μA
ILIM MOSFET 电流限制 TPS61040 350 400 450 mA
ILIM MOSFET 电流限制 TPS61041 215 250 285 mA
输出
VOUT 可调输出电压范围 VIN 28 V
Vref 内部电压基准 1.233 V
IFB 反馈输入偏置电流 VFB = 1.3V 1 μA
VFB 反馈跳闸点电压 1.8V ≤ VIN ≤ 6V 1.208 1.233 1.258 V
线路调节(1) 1.8V ≤ VIN ≤ 6V；VOUT = 18V；Iload = 10mA；CFF = 未连接 0.05 %/V
负载调整率(1) VIN = 2.4V；VOUT = 18V；0mA ≤ IOUT ≤ 30mA 0.15 %/mA
(1) 线路和负载调节取决于所选外部元件。请参阅应用部分以了解更多信息。