ZHCSMS0K October   2002  – July 2022 TPS61040 , TPS61041

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 引脚配置和功能
  6. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  7. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 峰值电流控制
      2. 7.3.2 软启动
      3. 7.3.3 使能
      4. 7.3.4 欠压锁定
      5. 7.3.5 热关断
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 操作
  8. 8 应用和实现
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 电感器选择，最大负载电流
        2. 8.2.2.2 设置输出电压
        3. 8.2.2.3 线路和负载调节
        4. 8.2.2.4 输出电容器选择
        5. 8.2.2.5 输入电容器选择
        6. 8.2.2.6 二极管选择
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 系统示例
  9. 9 电源相关建议
  10. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 第三方产品免责声明
    2. 11.2 支持资源
    3. 11.3 商标
    4. 11.4 Electrostatic Discharge Caution
    5. 11.5 术语表
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DBV|5
  • DDC|5
  • DRV|6
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.5 电气特性

VIN = 2.4V，EN = VIN，TA = –40°C 至 85°C，典型值为 TA = 25°C 时测得的值（除非另有说明）
参数测试条件最小值典型值最大值单位
电源电流
VIN输入电压范围1.86V
IQ工作静态电流IOUT = 0mA，不切换，VFB = 1.3V2850μA
ISD关断电流EN = GND0.11μA
VUVLO欠压闭锁阈值1.51.7V
使能
VIH高电平输入电压1.3V
VIL低电平输入电压0.4V
IIEN 输入漏电流EN = GND 或 VIN0.11μA
电源开关和电流限制
Vsw最大开关电压30V
toff最短关断时间250400550ns
ton最大导通时间467.5μs
RDS(on)MOSFET 导通电阻VIN = 2.4V；ISW = 200mA；TPS610406001000mΩ
RDS(on)MOSFET 导通电阻VIN = 2.4V；ISW = 200mA；TPS610417501250mΩ
MOSFET 漏电流VSW = 28V110μA
ILIMMOSFET 电流限值TPS61040350400450mA
ILIMMOSFET 电流限值TPS61041215250285mA
输出
VOUT可调输出电压范围VIN28V
Vref内部电压基准1.233V
IFB反馈输入偏置电流VFB = 1.3V1μA
VFB反馈跳闸点电压1.8V ≤ VIN ≤ 6V1.2081.2331.258V
线路调节(1)1.8V ≤ VIN ≤ 6V；VOUT = 18V；Iload = 10mA；CFF = 未连接0.05%/V
负载调节(1)VIN = 2.4V；VOUT = 18V；0mA ≤ IOUT ≤ 30mA0.15%/mA
(1) 线路和负载调节取决于所选外部元件。请参阅应用部分以了解更多信息。