ZHCSQS8K January   2006  – January 2024 TPS5430 , TPS5431

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD Ratings
    3. 5.3 建议工作条件
    4. 5.4 热性能信息（DDA 封装）
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  振荡器频率
      2. 6.3.2  电压基准
      3. 6.3.3  使能（ENA）和内部慢启动
      4. 6.3.4  欠压锁定 (UVLO)
      5. 6.3.5  升压电容器（BOOT）
      6. 6.3.6  输出反馈（VSENSE）和内部补偿
      7. 6.3.7  电压前馈
      8. 6.3.8  脉宽调制（PWM）控制
      9. 6.3.9  过流限制
      10. 6.3.10 过压保护
      11. 6.3.11 热关断
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 在最低输入电压附近工作
      2. 6.4.2 在实施 ENA 控制的情况下运行
  8. 7 应用和实现
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 12V 输入到 5.0V 输出
        1. 7.2.1.1 设计要求
        2. 7.2.1.2 详细设计过程
          1. 7.2.1.2.1 使用 WEBENCH® 工具定制设计方案
          2. 7.2.1.2.2 开关频率
          3. 7.2.1.2.3 输入电容器
          4. 7.2.1.2.4 输出滤波器元件
            1. 7.2.1.2.4.1 电感器选择
            2. 7.2.1.2.4.2 电容器选择
          5. 7.2.1.2.5 输出电压设定点
          6. 7.2.1.2.6 启动电容器
          7. 7.2.1.2.7 环流二极管
          8. 7.2.1.2.8 高级信息
            1. 7.2.1.2.8.1 输出电压限制
            2. 7.2.1.2.8.2 内部补偿网络
            3. 7.2.1.2.8.3 热计算
        3. 7.2.1.3 应用曲线
      2. 7.2.2 TPS5430 的宽输入电压范围
        1. 7.2.2.1 设计要求
        2. 7.2.2.2 详细设计过程
        3. 7.2.2.3 TPS5431 的宽输入电压范围
          1. 7.2.2.3.1 设计要求
          2. 7.2.2.3.2 详细设计过程
      3. 7.2.3 使用陶瓷输出滤波电容器的电路
        1. 7.2.3.1 设计要求
        2. 7.2.3.2 详细设计过程
          1. 7.2.3.2.1 输出滤波器元件选择
          2. 7.2.3.2.2 外部补偿网络
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 第三方产品免责声明
      2. 8.1.2 开发支持
        1. 8.1.2.1 使用 WEBENCH® 工具定制设计方案
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9 Revision History
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DDA|8
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息
7.2.1.2.7 环流二极管

TPS5430 设计为在 PH 和 GND 之间使用一个外部环流二极管来运行。所选二极管必须满足应用的绝对最大额定值：反向电压必须高于 PH 引脚处的最大电压，即 VIN(MAX) + 0.5V。峰值电流必须大于 IOUT(MAX) 加上峰峰值电感器电流的一半。为获得更高的效率，正向压降必须较小。值得注意的是，环流二极管导通时间通常长于高侧 FET 导通时间，因此，关注二极管参数可以显著提高整体效率。此外，检查所选器件是否能够消散功率损耗。对于此设计，选择了 Diodes, Inc. 的一个反向电压为 40V、正向电流为 3A 且正向压降为 0.5V 的 B340A。