ZHCSCL2F June   2014  – July 2025

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 开关特性
    7. 6.7 典型直流特性
    8. 6.8 典型交流特性 (TPS22914B/15B)
    9. 6.9 典型交流特性 (TPS22914C/15C)
  8. 7 参数测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 开/关控制
      2. 8.3.2 输入电容器 (CIN)
      3. 8.3.3 输出电容器 (CL)
    4. 8.4 器件功能模式
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 VIN 到 VOUT 压降
        2. 9.2.2.2 浪涌电流
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
        1. 9.4.1.1 散热注意事项
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 相关链接
    3. 10.3 接收文档更新通知
    4. 10.4 支持资源
    5. 10.5 商标
    6. 10.6 静电放电警告
    7. 10.7 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.3.3 输出电容器 (CL)

由于 MOSFET 中集成了体二极管，因此强烈建议使 CIN 大于 CL。如果 CL 大于 CIN，则在移除系统电源后，会导致 VOUT 超过 VIN。这可能导致电流通过体二极管从 VOUT 流向 VIN。建议 CIN 与 CL 之比为 10:1，以尽可能减少启动期间浪涌电流引起的 VIN 骤降。