ZHDS402 August   2026 TPS12S24F-Q1

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 开关特性
    7. 5.7 SPI 时序要求
  7. 6 参数测量信息
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 电源输入
      2. 7.3.2 电荷泵和栅极驱动器输出（VS、GATEx、BSTx、SRCx）
      3. 7.3.3 驱动电容、电阻和电感负载
        1. 7.3.3.1 电容负载驱动
          1. 7.3.3.1.1 使用基于 SCP 的自动重试方法 (GATEx)：
          2. 7.3.3.1.2 使用主路径栅极转换率控制方法（GATEx、SRCx）：
          3. 7.3.3.1.3 使用 PWM 控制方法 (GATEx)：
        2. 7.3.3.2 电阻或电感负载驱动
      4. 7.3.4 保护机制
        1. 7.3.4.1 基于 I2T 的过流和短路保护
        2. 7.3.4.2 基于 NTC 的外部 FET 过热保护
        3. 7.3.4.3 器件结过热警告
        4. 7.3.4.4 输入欠压和过压保护
        5. 7.3.4.5 外部 FET 漏源电压 (VDS) 过压保护
        6. 7.3.4.6 基于双向 VDS 的短路保护
        7. 7.3.4.7 反极性保护
        8. 7.3.4.8 接地丢失
      5. 7.3.5 诊断机制
        1. 7.3.5.1 ADC 检测信号
        2. 7.3.5.2 模拟和数字电流监测器 (VIMONx)
        3. 7.3.5.3 输入电源电压测量
        4. 7.3.5.4 输出电压测量
        5. 7.3.5.5 外部 FET 温度测量
        6. 7.3.5.6 外部 FET 双向漏源（双向 VDS）测量
        7. 7.3.5.7 控制器温度测量
        8. 7.3.5.8 VOUT 电池短路或 FET 短路和开路负载检测
          1. 7.3.5.8.1 在使能主 FET (GATEx) 的情况下进行测量
          2. 7.3.5.8.2 在禁用主 FET (GATEx) 的情况下进行检测
        9. 7.3.5.9 对于全时供电 (PAAT) 负载的 VOUT 对电池短路或 FET 短路检测
      6. 7.3.6 故障指示 (FLT/WAKE)
      7. 7.3.7 输出禁用 (OUT_DISx) 功能
      8. 7.3.8 短暂的电源中断行为
      9. 7.3.9 SPI 模式运行
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 状态图
      2. 7.4.2 断电
      3. 7.4.3 睡眠模式
      4. 7.4.4 配置模式或工作模式 (AM)
      5. 7.4.5 低功耗模式 (LPM)
      6. 7.4.6 Limphome 模式
    5. 7.5 TPS12S24F-Q1 预量产器件限制
      1. 7.5.1 SDO 引脚三态分立电路变通方案（仅适用于并行 SPI 配置，不适用于菊花链）
  9. 8 寄存器映射
    1. 8.1 TPS12S24F-Q1 寄存器
    2. 8.2 EEPROM (NVM) 概述
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 使用自动负载唤醒和输出大容量电容器充电功能来驱动全时供电 (PAAT) 负载
        1. 9.2.1.1 设计要求
        2. 9.2.1.2 详细设计过程
        3. 9.2.1.3 应用曲线
    3. 9.3 系统示例
      1. 9.3.1 TPS12S24F-Q1 系统级配置
    4. 9.4 电源相关建议
      1. 9.4.1 瞬态和 EMI/EMC 建议
    5. 9.5 布局
      1. 9.5.1 布局指南
      2. 9.5.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 接收文档更新通知
    2. 10.2 支持资源
    3. 10.3 商标
    4. 10.4 静电放电警告
    5. 10.5 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息
    1. 12.1 卷带包装信息
    2. 12.2 机械数据

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.3.4.6 基于双向 VDS 的短路保护

已激活通道的漏源电压受到持续监测，该电压也可用于基于 VDS 的短路保护 (SCP)。基于 VDS 的 SCP 保护在两个方向上都可用，可通过 VDS_PROT_EN_CHx 位使能，并通过 VDS_OVP_SET_CHx 和 VDS_GAIN_CHx 位的组合来设置阈值。每个通道独立提供使用 VDS_OVP_MASK_CHx 设置的可配置滤波时间，用于设置屏蔽或抗尖峰脉冲时间，以避免因噪声信号测量而导致误跳变。图 7-16 展示了无电流检测电阻器 (RSNSx) 的基于 VDS 的 SCP 保护应用电路，可在系统层面实现尺寸缩小与成本降低。

当通过 CHx_ON 位使 GATEx 导通时，通过监测 GATEx 到 SRCx 引脚之间的电压来检测外部 FET 的第一个 VGS。GATEx 到 SRCx 的电压升高到 VCHx(GATE_GOOD)（典型值 7.5V）阈值以上时，可确保外部 FET 得到增强，然后基于 VDS 的保护被激活。

TPS12S24F-Q1 TPS12SxxF-Q1 基于 VDS 的 SCP 保护应用电路图 7-16 TPS12SxxF-Q1 基于 VDS 的 SCP 保护应用电路

表 7-2 展示了基于 VDS_OVP_SET_CHx 和 VDS_GAIN_CHx[1:0] 位组合的基于 VDS 的 SCP 保护阈值设置。

表 7-2 基于 VDS 的 SCP 保护阈值设置

VDS_OVP_SET_CHx[4:0]

VDS OVP 阈值 (mV)

VDS_GAIN_CHx[1:0] =

“01”

“10”

“11”

0

300

56

15

1

340

64

17

2

380

72

19

3

425

80

21

4

465

87.5

24

5

510

95

26

6

550

105

28

7

590

110

30

8

635

120

32

9

675

126.5

34

10

715

135

36

11

760

142.5

38

12

800

150

40

13

840

158

42

14

880

165

44

15

925

175

46

16

965

182

48

17

1010

190

50

18

1050

197

52

19

1090

205

54

20

1130

212.5

56

21

1175

220

58

22

1215

230

61

23

1260

236

63

24

1300

245

65

25

1340

252

67

26

1385

260

69

27

保留

267.5

71

28

保留

275

73.5

29

保留

283

75

30

保留

290

77.5

31

保留

300

80