3 说明

TPIC6A596 是一款单片、高压、高电流功率逻辑 8 位移位寄存器，专为负载功率要求相对较高的系统而设计。该器件包含内置的输出钳位电压，用于提供电感瞬态保护。电源驱动器应用包括继电器、螺线管和其他中等电流或高电压负载。每个开漏 DMOS 晶体管都具有独立的斩波限流电路，以防止在短路情况下损坏。

该器件包含一个可对 8 位 ，D 类存储寄存器进行馈送的 8 位串行输入、并行输出移位寄存器。移位和存储寄存器之间的数据传输分别在移位寄存器时钟 (SRCK) 和寄存器时钟 (RCK) 的上升沿上发生。当移位寄存器清零 (SRCLR) 为高电平时，存储寄存器将数据传输到输出缓冲器。只有当 RCK 为低电平时，写入数据和读取数据才有效。当 SRCLR 为低电平时，器件中的所有寄存器都将清零。当输出使能 G 保持高电平时，输出缓冲器中的所有数据将保持低电平，并且所有漏极输出将关闭。当 G 保持低电平时，来自存储寄存器中的数据对输出缓冲器透明。串行输出 (SER OUT) 在 SRCK 下降沿时从器件时钟输出，为级联应用提供额外的保持时间。这将为时钟信号有可能偏移、器件相距较远或系统必须容许电磁干扰的应用提供更佳的性能。

输出为低侧、漏极开路 DMOS 晶体管，额定输出功率为 50V，连续灌电流能力为 350mA。当输出缓冲器中的数据较低时，DMOS 晶体管的输出被关闭。当数据较高时，DMOS 晶体管输出具有灌电流能力。

提供单独的电源接地 (PGND) 和逻辑接地 (LGND) 端子，以实现最大的系统灵活性。所有 PGND 端子都是内部连接的，每个 PGND 端子必须外部连接到电源系统接地，以尽量减少寄生阻抗。LGND 和 PGND 之间的单点连接必须在外部进行，以减少逻辑电路和负载电路之间的串扰。

TPIC6A596 采用热增强型双列直插式 (NE) 封装和宽体表面贴装 (DW) 封装。TPIC6A596 具有 -40°C 至 125°C 的额定管壳工作温度范围。