ZHCSYM9 July   2025 TPD4S201

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级 - JEDEC 规格
    3. 5.3 ESD 等级 - IEC 规格
    4. 5.4 建议运行条件
    5. 5.5 热性能信息
    6. 5.6 电气特性
    7. 5.7 时序要求
    8. 5.8 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 4 通道 VBUS 短路过压保护（CC1、CC2、SBU1、SBU2 引脚或 CC1、CC2、DP、DM 引脚）：可耐受 28VDC 电压
      2. 6.3.2 可处理最高 600mA 电流的 CC1 和 CC2 过压保护 FET 支持 VCONN 电源电流通过
      3. 6.3.3 集成 CC 无电电池电阻器用于处理移动设备中的电池无电用例
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 VBIAS 电容器选型
        2. 7.2.2.2 电池无电运行
        3. 7.2.2.3 CC 线路电容
        4. 7.2.2.4 CC 和 SBU 线路上的额外 ESD 保护
        5. 7.2.2.5 FLT 引脚运行
        6. 7.2.2.6 如何连接未使用的引脚
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 文档支持
      1. 8.1.1 相关文档
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5.4 建议运行条件

最小值 标称值 最大值 单位
VI 输入电压 VPWR 2.7 3.3 4.5 V
VI 输入电压 RPD_G1，RPD_G2 0 5.5 V
VO 输出电压 FLT 上拉电阻电源轨 2.7 5.5 V
VIO I/O 电压 CC1、CC2、C_CC1、C_CC2 0 5.5 V
SBU1、SBU2、C_SBU1、C_SBU2 0 4.3 V
IVCONN VCONN 电流 流入 CC1/2 和流出 C_CC1/2 的电流，TJ ≤ 105℃ 600 mA
IVCONN VCONN 电流 流入 CC1/2 和流出 C_CC1/2 的电流，TJ ≤85℃ 1.25 A
TJ 工作结温 -40 125 ℃
外部元件(1) 外部元件(1) FLT 上拉电阻 1.7 300 kΩ
VBIAS 电容 (2) 0.04 0.1 0.14 µF
VPWR 电容 0.3 1 µF
VBUS_LV 电容 0.1 µF
(1) 对于电容器和电阻器的建议值，典型值假设元件放置在电路板上靠近引脚的位置。列出的最小值和最大值已考虑制造公差、电压降额、电路板电容和温度变化。使实际使用的有效值在表中列出的最小值与最大值范围内。
(2) VBIAS 引脚需要一个额定电压至少为 63VDC 的电容器。建议使用额定电压为 100VDC 的电容器来降低电容降额。
有关选择 VBIAS 电容器的更多信息，请参阅“VBIAS 电容器选择”部分。