ZHCSAT4E December   2012  – October 2026 TPD4E1U06

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 ESD 等级 - IEC 规格
    4. 5.4 建议运行条件
    5. 5.5 热性能信息
    6. 5.6 电气特性
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 IEC 61000-4-2 4 级 ESD 保护
      2. 6.3.2 IEC 61000-4-5 浪涌保护
      3. 6.3.3 IEC 61000-4-4 瞬态放电 (EFT) 保护
      4. 6.3.4 IO 电容
      5. 6.3.5 直流击穿电压
      6. 6.3.6 超低漏电流
      7. 6.3.7 低 ESD 钳位电压
      8. 6.3.8 工业温度范围
      9. 6.3.9 易于布线的小型封装
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 引脚 1、3、4 或 6 上的信号范围
        2. 7.2.2.2 运行频率
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 文档支持
      1. 8.1.1 相关文档
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 社区资源
    4. 8.4 商标
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5.6 电气特性

在自然通风条件下的建议运行温度范围内测得（除非另有说明）
参数测试条件最小值典型值最大值单位
VRWM反向关断电压IIO = 10µA5.5V
VCLAMPESD 冲击下的钳位电压IPP = 1A，tp = 8/20µs，从 I/O 到 GND(1)11V
IPP = 3A，tp = 8/20µs，从 I/O 到 GND(1)15V
RDYN动态电阻引脚 x 至 GND 引脚(2)1.0Ω
GND 至引脚 x0.6
CL线路电容f = 1MHz，VBIAS = 2.5V，25°C0.81pF
CCROSS通道间输入电容引脚 2 = 0V，f = 1MHz，VBIAS = 2.5V，通道引脚之间DCK 封装0.0060.015pF
DBV 封装0.010.025
∆CIO-TO-GND通道输入电容变化引脚 2 = 0V，f = 1MHz，VBIAS = 2.5V，channel_x 引脚接地 — channel_y 引脚接地0.0250.07pF
VBRIO 至 GND 击穿电压IIO = 1mA6.58.5V
ILEAK漏电流VIO = 2.5V110nA
(1) 符合 IEC61000-4-5 标准的非重复电流脉冲 8/20µs 指数衰减波形。
(2) 在 I = 10A 和 I = 20A 之间使用 TLP 特性的最小二乘拟合来提取 RDYN。