ZHCSXX7A February 2025 – April 2025 TMUX8612
PRODUCTION DATA
闩锁是指在电源引脚和地之间创建低阻抗路径的情况。这种情况由触发器（电流注入或过压）引起，一旦激活，即使触发器不再存在，低阻抗路径仍会存在。该低阻抗路径可能会因电流电平过高而导致系统混乱或巨大损坏。闩锁情况通常需要下电上电来消除低阻抗路径。
在 TMUX861x 器件中，在器件基板顶部放置一个绝缘氧化层，以免形成任何寄生结。因此，该器件在所有情况下均会因器件结构具有闩锁效应抑制。
TMUX861x 器件采用基于绝缘体硅 (SOI) 的工艺制造，会在每个 CMOS 开关的 PMOS 与 NMOS 晶体管之间增加氧化层，用于防止形成寄生结构。氧化层也称为绝缘沟道，可防止因过压或电流注入而触发闩锁事件。受闩锁效应抑制影响，TMUX861x 能够在恶劣环境下使用。参阅《利用闩锁效应抑制多路复用器帮助改善系统可靠性》，了解有关闩锁效应抑制的更多信息。