ZHCSLM2A January   2021  – July 2021 TMCS1108

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 器件比较
  6. 6 引脚配置和功能
  7. 7 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 额定值
    3. 7.3 建议运行条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 额定功率
    6. 7.6 电气特性
    7. 7.7 典型特性
      1. 7.7.1 绝缘特性曲线
  8. 8 参数测量信息
    1. 8.1 精度参数
      1. 8.1.1 灵敏度误差
      2. 8.1.2 失调电压误差和失调电压误差漂移
      3. 8.1.3 非线性误差
      4. 8.1.4 电源抑制比
      5. 8.1.5 共模抑制比
      6. 8.1.6 外部磁场误差
    2. 8.2 瞬态响应参数
      1. 8.2.1 压摆率
      2. 8.2.2 传播延迟和响应时间
      3. 8.2.3 电流过载参数
      4. 8.2.4 CMTI，共模瞬态抗扰度
    3. 8.3 安全操作区域
      1. 8.3.1 持续直流或正弦交流电流
      2. 8.3.2 重复脉冲电流 SOA
      3. 8.3.3 单粒子电流能力
  9. 9 详细说明
    1. 9.1 概述
    2. 9.2 功能模块图
    3. 9.3 特性说明
      1. 9.3.1 电流输入
      2. 9.3.2 高精度信号链
        1. 9.3.2.1 寿命和环境稳定性
        2. 9.3.2.2 频率响应
        3. 9.3.2.3 瞬态响应
      3. 9.3.3 内部基准电压
      4. 9.3.4 电流感测可测量范围
    4. 9.4 器件功能模式
      1. 9.4.1 断电行为
  10. 10应用和实现
    1. 10.1 应用信息
      1. 10.1.1 总误差计算示例
        1. 10.1.1.1 室温误差计算
        2. 10.1.1.2 整个温度范围内的误差计算
    2. 10.2 典型应用
      1. 10.2.1 设计要求
      2. 10.2.2 详细设计过程
      3. 10.2.3 应用曲线
  11. 11电源相关建议
  12. 12布局
    1. 12.1 布局指南
    2. 12.2 布局示例
  13. 13器件和文档支持
    1. 13.1 器件支持
      1. 13.1.1 开发支持
    2. 13.2 文档支持
      1. 13.2.1 相关文档
    3. 13.3 接收文档更新通知
    4. 13.4 支持资源
    5. 13.5 商标
    6. 13.6 Electrostatic Discharge Caution
    7. 13.7 术语表
  14. 14机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.6 电气特性

在 TA = 25°C、VS = 5V 条件下测得（除非另有说明）
参数测试条件最小值典型值最大值单位
输出
灵敏度(7)TMCS1108A1B50mV/A
TMCS1108A2B100mV/A
TMCS1108A3B200mV/A
TMCS1108A4B400mV/A
TMCS1108A1U50mV/A
TMCS1108A2U100mV/A
TMCS1108A3U200mV/A
TMCS1108A4U400mV/A
灵敏度误差0.05V ≤ VOUT ≤ VS – 0.2V，TA = 25ºC±0.4%±1.2%
TMCS1108A1U，0.05V ≤ VOUT ≤ 3V，
TA = 25ºC		±0.4%±1.2%
灵敏度误差，包括寿命和环境漂移 (5)0.05V ≤ VOUT ≤ VS – 0.2V，TA = 25ºC±0.7%±1.8%
灵敏度误差0.05V ≤ VOUT ≤ VS – 0.2V，
TA = –40ºC 至 +85ºC		±0.7%±1.8%
TMCS1108A1U，0.05V ≤ VOUT ≤ 3V，
TA = –40ºC 至 +85ºC		±0.7%±1.8%
0.05V ≤ VOUT ≤ VS – 0.2V，
TA = –40ºC 至 +125ºC		±0.9%±2.25%
TMCS1108A1U，0.05V ≤ VOUT ≤ 3V，
TA = –40ºC 至 +125ºC		±0.9%±2.25%
非线性误差VOUT = 0.5V 至 VS – 0.5V±0.5%
TMCS1108A1U，VOUT = 0.5V 至 3V±0.5%
VOE输出电压失调误差(1)TMCS1108A1B±2±8mV
TMCS1108A2B±2±10mV
TMCS1108A3B±3±12mV
TMCS1108A4B±5±30mV
TMCS1108A1U±2±8mV
TMCS1108A2U±2±10mV
TMCS1108A3U±5±12mV
TMCS1108A4U±15±30mV
输出电压温漂TMCS1108A1B，TA = –40ºC 至 +125ºC±10±30µV/℃
TMCS1108A2B，TA = –40ºC 至 +125ºC±10±40µV/℃
TMCS1108A3B，TA = –40ºC 至 +125ºC±15±80µV/℃
TMCS1108A4B，TA = –40ºC 至 +125ºC±40±170µV/℃
TMCS1108A1U，TA = –40ºC 至 +125ºC±10±30µV/℃
TMCS1108A2U，TA = –40ºC 至 +125ºC±10±40µV/℃
TMCS1108A3U，TA = –40ºC 至 +125ºC±20±80µV/℃
TMCS1108A4U，TA = –40ºC 至 +125ºC±50±170µV/℃
IOS失调误差，RTI(1)(3)TMCS1108A1B±40±160mA
TMCS1108A2B±20±100mA
TMCS1108A3B±15±60mA
TMCS1108A4B±12.5±75mA
TMCS1108A1U±40±160mA
TMCS1108A2U±20±100mA
TMCS1108A3U±25±60mA
TMCS1108A4U±37.5±75mA
失调误差温度漂移，RTI(3)TMCS1108A1B，TA = –40ºC 至 +125ºC±200±600µA/°C
TMCS1108A2B，TA = –40ºC 至 +125ºC±100±400µA/°C
TMCS1108A3B，TA = –40ºC 至 +125ºC±75±400µA/°C
TMCS1108A4B，TA = –40ºC 至 +125ºC±100±425µA/°C
TMCS1108A1U，TA = –40ºC 至 +125ºC±200±600µA/°C
TMCS1108A2U，TA = –40ºC 至 +125ºC±100±400µA/°C
TMCS1108A3U，TA = –40ºC 至 +125ºC±100±400µA/°C
TMCS1108A4U，TA = –40ºC 至 +125ºC±125±425µA/°C
PSRR电源抑制比VS = 3V 至 5.5V，TA= –40ºC 至 +125ºC±1±6.5mV/V
TMCS1108A4B/U，VS = 4.5V 至 5.5V，
TA = –40ºC 至 +125ºC		±1±6.5mV/V
CMTI共模瞬态抗扰度50kV/µs
CMRR共模抑制比，RTI(3)DC 到 60Hz5uA/V
零电流 VOUT(1)TMCS1108AxU0.1*VSV/V
TMCS1108AxB0.5*VSV/V
噪声密度，RTI(3)TMCS1108A1B380μA/√Hz
TMCS1108A2B330μA/√Hz
TMCS1108A3B300μA/√Hz
TMCS1108A4B225μA/√Hz
TMCS1108A1U380μA/√Hz
TMCS1108A2U330μA/√Hz
TMCS1108A3U300μA/√Hz
TMCS1108A4U225μA/√Hz
输入
RIN输入导体电阻IN+ 至 IN–1.8mΩ
输入导体电阻温度漂移TA= –40ºC 至 +125ºC4.4μΩ/°C
G磁耦合系数TA = 25ºC1.1mT/A
IIN,max允许的连续 RMS 电流 (4)TA = 25ºC30A
TA = 85ºC25A
TA = 105ºC22.5A
TA = 125ºC16A
NC（引脚 6）输入阻抗在允许的范围内，GND < VNC < VS1MΩ
电压输出
ZOUT闭环输出阻抗f = 1 Hz 至 1 kHz0.2Ω
f = 10kHz2Ω
最大容性负载无持续振荡1nF
短路输出电流VOUT 接地短路，对 VS 短路90mA
相对于 VS 电源轨的摆幅RL = 10kΩ 至 GND，TA = –40ºC 至 +125ºCVS – 0.02VS – 0.1V
到 GND 的摆幅RL = 10kΩ 至 GND，TA = –40ºC 至 +125ºCVGND + 5VGND + 10mV
频率响应
BW带宽(6)–3dB 带宽80kHz
SR压摆率(6)单个瞬态阶跃期间输出放大器的压摆率。1.5V/µs
tr响应时间(6)输入电流阶跃达到最终值的 90% 与传感器输出达到其最终值的 90% 之间的时间，用于 1V 输出转换。6.5µs
tp传播延迟(6)输入电流阶跃达到最终值的 10% 与传感器输出达到其最终值的 10% 之间的时间，用于 1V 输出转换。4µs
tr,SC电流过载响应时间(6)输入电流阶跃达到最终值的 90% 与传感器输出达到其最终值的 90% 之间的时间。输入电流阶跃振幅是满量程输出范围的两倍。5µs
tp,SC电流过载传播延迟(6)输入电流阶跃达到最终值的 10% 与传感器输出达到其最终值的 10% 之间的时间。输入电流阶跃振幅是满量程输出范围的两倍。3µs
电流过载恢复时间从导致输出饱和条件的电流结束到有效输出的时间15
µs

电源
IQ静态电流TA = 25ºC4.55.5mA
TA = –40ºC 至 +125ºC6mA
上电时间从 VS > 3V 到有效输出的时间25ms
(1) 排除外部磁场的影响。有关计算由外部磁场引起的误差的详细信息，请参阅精度参数部分。
(3) RTI = 以输入为参考。输出电压除以器件灵敏度，以将信号与输入电流相关联。请参阅参数测量信息部分。
(4) 受结温热限制。当器件安装在 TMCS1108EVM 上时适用。更多详细信息，请参阅安全工作区部分。
(5) 基于三批 AEC-Q100 认证应力测试结果的寿命和环境漂移规格。典型值是来自最坏情况应力测试条件的总体平均值+1σ。最小值/最大值是被测器件总体平均值 ±6σ；在 AEC-Q100 认证中进行测试的器件在所有应力条件下都保持在最小/最大限值内。有关更多详细信息，请参阅寿命和环境稳定性。
(6) 有关器件频率和瞬态响应的详细信息，请参阅瞬态响应部分。
(7) 基于 TMCS1108EVM PCB 布局的中心化参数。请参阅布局部分。器件必须在最高结温以下运行。