ZHCSJN6F May   2019  – April 2025 TLV9001-Q1 , TLV9002-Q1 , TLV9004-Q1

PRODMIX  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 单通道器件的热性能信息
    5. 6.5 双通道器件的热性能信息
    6. 6.6 四通道器件的热性能信息
    7. 6.7 电气特性
    8. 6.8 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 工作电压
      2. 7.3.2 轨到轨输入
      3. 7.3.3 轨到轨输出
      4. 7.3.4 过载恢复
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 TLV900x-Q1 低侧电流检测应用
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计过程
        3. 8.2.1.3 应用曲线
      2. 8.2.2 单电源光电二极管放大器
        1. 8.2.2.1 设计要求
        2. 8.2.2.2 详细设计过程
        3. 8.2.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
      1. 8.3.1 输入和 ESD 保护
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.5 双通道器件的热性能信息

热指标 (1) TLV9002-Q1 单位
D (SOIC) DGK (VSSOP) PW (TSSOP)
8 引脚 8 引脚 8 引脚
RθJA 结至环境热阻 151.9 196.6 180.1 °C/W
RθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻 92.0 86.2 84.4 °C/W
RθJB 结至电路板热阻 95.4 118.3 120.2 °C/W
ψJT 结至顶部特征参数 40.2 23.2 15.3 °C/W
ψJB 结至电路板特征参数 94.7 116.7 117.6 °C/W
(1) 有关新旧热指标的更多信息，请参阅半导体和 IC 封装热指标 应用手册。