ZHDS368 August   2026 TLV612901

PRODMIX  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 I2C 接口时序要求
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 输出电压设置
      2. 7.3.2 开关频率和展频功能
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1  使能和启动
      2. 7.4.2  运行模式设置
      3. 7.4.3  旁路模式
      4. 7.4.4  升压控制操作
      5. 7.4.5  自动 PFM 模式
      6. 7.4.6  强制 PWM 模式
      7. 7.4.7  超声波模式
      8. 7.4.8  输出放电
      9. 7.4.9  欠压锁定
      10. 7.4.10 电流限值运行
      11. 7.4.11 输出接地短路保护
      12. 7.4.12 过压保护
      13. 7.4.13 热关断
      14. 7.4.14 电源正常指示状态
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 数据有效性
      2. 7.5.2 启动条件和停止条件
      3. 7.5.3 字节格式
      4. 7.5.4 确认 (ACK) 和否定确认 (NACK)
      5. 7.5.5 目标地址和数据方向位
      6. 7.5.6 单独读取和写入
      7. 7.5.7 多重读取和多重写入
  9. 8 寄存器映射
    1. 8.1 DeviceID 寄存器
    2. 8.2 CONFIG 寄存器
    3. 8.3 VOUTFLOORSET 寄存器
    4. 8.4 ILIMBSTSET 寄存器
    5. 8.5 VOUTROOFSET 寄存器
    6. 8.6 STATUS 寄存器
    7. 8.7 ILIMPTSET 寄存器
    8. 8.8 BSTLOOP 寄存器
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 具有 2.5V – 4.85V VIN、5.0V VOUT、3A 输出电流的 TLV612901
        1. 9.2.1.1 设计要求
        2. 9.2.1.2 详细设计过程
          1. 9.2.1.2.1 电感器选型
          2. 9.2.1.2.2 输出电容器
          3. 9.2.1.2.3 输入电容器
          4. 9.2.1.2.4 检查环路稳定性
        3. 9.2.1.3 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
      3. 9.4.3 热性能信息
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件支持
      1. 10.1.1 第三方产品免责声明
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息
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封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

9.4.1 布局指南

对于所有开关电源，尤其是以高开关频率和高电流运行的开关电源，布局设计是一个重要的设计步骤。如果未仔细布局，稳压器可能会出现不稳定和噪声问题。由于 TLV612901 运行时开关上升和下降时间非常短，因此可以产生高频噪声辐射（例如 EMI）。因此，高频开关路径的正确布局至关重要。在布局时，应尽量缩短并减小所有连接至 SW 引脚的走线长度和面积，并在开关稳压器下方敷设接地平面。该操作有助于更大限度地减少层间耦合并优化高频开关路径。

输入电容器必须靠近 VIN 引脚和 PGND 引脚，以降低 Iinput 电源纹波。VOUT、输出电容和 PGND 的电源路径必须尽可能小，以减少寄生电感。

由于该器件具有高功率密度，因此在布局设计过程中必须仔细考虑热管理。SW、VOUT 和 PGND 引脚可改善封装的热性能，必须焊接至大面积铜皮上。此外，在 SW 引脚下方使用散热过孔可以提高热性能。

此外，还应考虑布局过程中 PCB 寄生效应的影响。图 9-16 显示了 TLV612901 中的连续电流路径和不连续电流路径。蓝色实线表示连续电流路径，红色虚线表示不连续电流路径。图 9-17 展示了不连续电流路径中的 PCB 寄生电感器。由功率 MOSFET Q1、功率 MOSFET Q2、输出电容 COUT 形成的环路必须尽可能短，因为在这些高 di/dt 电流路径中的 PCB 寄生电感会在输出端和功率 MOSFET 上产生高电压尖峰。开关节点 SW 处的尖峰和振铃是 EMI 的来源，会导致功率 MOSFET 过压损坏。为了最大程度地减小 PCB 寄生电感 Lpara1 和 Lpara2 的影响，最好将低 ESL 和 ESR X5R 或 X7R 电介质陶瓷电容 COUT1 放置在尽可能靠近 TLV612901 的 VOUT 引脚和 GND 引脚的位置。

TLV612901 连续和不连续电流路径图 9-16 连续和不连续电流路径
TLV612901 不连续电流路径中的 PCB 寄生电感器图 9-17 不连续电流路径中的 PCB 寄生电感器