ZHCSH12A October   2017  – December 2018 TLV2313-Q1 , TLV313-Q1

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
    1.     EMIRR IN+ 与频率间的关系
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 器件比较表
  6. 6 引脚配置和功能
    1.     引脚功能：TLV313-Q1
    2.     引脚功能：TLV2313-Q1
  7. 7 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 额定值
    3. 7.3 建议运行条件
    4. 7.4 热性能信息：TLV313-Q1
    5. 7.5 热性能信息：TLV2313-Q1
    6. 7.6 电气特性：5.5V
    7. 7.7 电气特性：1.8V
    8. 7.8 典型特性：图形列表
    9. 7.9 典型特性
  8. 8 详细 说明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 功能框图
    3. 8.3 特性 说明
      1. 8.3.1 工作电压
      2. 8.3.2 轨至轨输入
      3. 8.3.3 轨至轨输出
      4. 8.3.4 共模抑制比 (CMRR)
      5. 8.3.5 容性负载和稳定性
      6. 8.3.6 EMI 敏感性和输入滤波
      7. 8.3.7 输入和 ESD 保护
    4. 8.4 器件功能模式
  9. 9 应用和实现
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计流程
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 系统示例
  10. 10电源建议
  11. 11布局
    1. 11.1 布局指南
    2. 11.2 布局示例：单通道
    3. 11.3 布局示例：双通道
  12. 12器件和文档支持
    1. 12.1 文档支持
      1. 12.1.1 相关文档
    2. 12.2 相关链接
    3. 12.3 接收文档更新通知
    4. 12.4 社区资源
    5. 12.5 商标
    6. 12.6 静电放电警告
    7. 12.7 术语表
  13. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

TLVx313-Q1系列单通道和双通道运算放大器兼具低功耗和高性能优势。因此非常适合各种广泛的 应用， 如信息娱乐、引擎控制单元、汽车照明等。该系列 具有 轨至轨输入和输出 (RRIO) 摆幅、低静态电流（典型值：65µA）、高带宽 (1MHz) 以及超低噪声（1kHz 时为 26nV/√Hz）等特性，因此对于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型 应用 非常有吸引力。此外，该系列器件具有低输入偏置电流，因此适用于 源阻抗高达兆欧级 的应用。

TLVx313-Q1 器件采用稳健耐用的设计，方便电路设计人员使用。这些器件在容性负载高达 100pF 的条件下具有单位增益稳定性，集成了 RFI/EMI 抑制滤波器，在过驱条件下无相位反转，并具有高静电放电 (ESD) 保护 (4kV HBM)。

这些器件经过优化，适合在低至 1.8V (±0.9V) 和高达 5.5V (±2.75V) 的电压下工作，且额定的扩展工作温度范围为 –40°C 至 +125°C。

单通道 TLV313-Q1 器件采用 SC70-5 封装。双通道 TLV2313-Q1 器件采用 SOIC-8 (D) 和 VSSOP-8 (DGK) 封装。

器件信息(1)

器件型号 封装 封装尺寸（标称值）
TLV313-Q1 SC70 (5) 2.00mm × 1.25mm
TLV2313-Q1 SOIC (8) 4.90mm × 3.91mm
VSSOP (8) 3.00mm × 3.00mm
  1. 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。

EMIRR IN+ 与频率间的关系

TLV313-Q1 TLV2313-Q1 C033_SBOS649.gif