ZHDS398 August 2026 REF53-Q1
ADVANCE INFORMATION
在电源电压可能波动的应用中,必须在电源端连接一个 0.1μF 至 10μF 的大容量电容器,以改善瞬态响应。在靠近器件的 VIN 引脚处连接一个额外的 0.1μF 电容器,以旁路高频电源噪声。
必须在输出端连接一个 低 ESR(最大 1Ω)、电容值为 1μF 至 50μF 的电容器,以确保输出稳定。对于超低噪声应用,由于 X7R 和其他 MLCC 电容器存在压电效应,因此需特别注意。多层陶瓷电容器 (MLCC) 的压电特性可能因机械振动而引入 μV 级噪声,从而可能成为 REF53-Q1 的主要噪声来源。有关如何在系统中探索压电式效应的更多信息,请参阅应力引起的突发:陶瓷电容器中的颤噪效应(第 1 部分)和应力引起的突发:陶瓷电容器中的颤噪效应(第 2 部分)。设计人员必须在对噪声敏感的应用中使用薄膜电容器。TI 建议将 REF53-Q1 基准尽可能靠近负载放置,以更大限度地减少布线电阻导致的 IR 压降。
REF53-Q1 的开通时间响应如图 9-2 所示。REF53-Q1 系列的开通时间取决于基准引脚电容器。增大输出电容器可改善器件的负载瞬态性能,但这也会增加开通时间。图 9-3 显示了 CREF = 10μF 时,开通时间增加至 1ms。