ZHCSZ97 December 2025 MC111
PRODUCTION DATA
本节介绍 MC111 在风扇应用中的推荐外部元件。
图 8-1 展示了风扇模块电源连接上使用的典型元件。串联在电源端的 D1 二极管可在电源意外反接时保护 MC111。为保证 MC111 正常工作,需要使用电源去耦电容,建议最小容量为 0.1uF。位于 VM 引脚附近的可选大容量电容器 CBULK 有助于在电机运行时稳定 VVM 电源电压。建议选用低等效串联电阻 (ESR) 且额定电压为电源电压两倍的陶瓷电容器,以在瞬态过程中提供裕量。建议根据实际应用选择 1μF 至 10μF 之间的电容值。
需要大电机电流和高转子惯量的电机系统,在换相期间可能因电感存储的能量而导致大电流从 H 桥流入 VM 节点。CBULK 电容中额外的电荷会抬高 VVM 电源电压。尽管 MC111 具备过压保护功能,但在电源导轨上增加钳位保护元件可降低电压尖峰的幅值。这些元件还有助于防止电源受到 ESD 冲击。
图 8-2 展示了在 VM 节点使用齐纳二极管或 TVS 二极管 (D2) 的示例。二极管钳位电压需高于风扇系统的最高工作电压,并低于 MC111 在推荐工作条件表中的最高工作电压。电源端的 RC 缓冲电路也可保护驱动器免受电压尖峰和 ESD (图 8-3) 的影响。TI 建议 CSNUBBER 使用 1μF,RSNUBBER 使用 2Ω。或者,可并联一个电解电容与 CBULK 共同使用。
图 8-1 展示了风扇模块 PWM 控制和转速/故障反馈所需的最少外部元件。FG/RD 引脚为开漏输出,需要外部上拉电阻器以提供适当电压的输出信号。选择上拉电阻器值时,须确保在开漏输出有效低电平时,流入 FG/RD 引脚的电流小于 5mA。在 PWM 输入和 FG/RD 输出线路中串联电阻器有助于保护驱动器免受连接线缆上的 ESD 冲击,如 图 8-4 所示。在 FG/RD 和 PWM 信号上添加钳位或 TVS 二极管可提供额外的 ESD 冲击防护,如 图 8-5 所示。
某些单相风扇模块要求 FG/RD 和 PWM 引脚采用集电极开路接口。图 8-6 和 图 8-7 展示了为集电极开路接口在风扇模块内部和外部连接元件的示例。