ZHCSQU7A may   2023  – august 2023 LP5861T

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 修订历史记录
  6. 5 器件比较
  7. 6 引脚配置和功能
  8. 7 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 建议运行条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 时序要求
    7.     15
    8. 7.7 典型特性
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 模拟调光（电流增益控制）
      2. 8.3.2 PWM 调光
      3. 8.3.3 导通和关断控制
      4. 8.3.4 数据刷新模式
      5. 8.3.5 完整的可寻址 SRAM
      6. 8.3.6 保护和诊断
    4. 8.4 器件功能模式
    5. 8.5 编程
    6. 8.6 寄存器映射
      1. 8.6.1 CONFIG 寄存器
      2. 8.6.2 GROUP 寄存器
      3. 8.6.3 DOTGROUP 寄存器
      4. 8.6.4 DOTONOFF 寄存器
      5. 8.6.5 FAULT 寄存器
      6. 8.6.6 RESET 寄存器
      7. 8.6.7 DC 寄存器
      8. 8.6.8 PWM 寄存器
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 应用
      2. 9.2.2 设计要求
      3. 9.2.3 详细设计过程
        1. 9.2.3.1 编程过程
      4. 9.2.4 应用性能曲线图
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 接收文档更新通知
    2. 10.2 支持资源
    3. 10.3 商标
    4. 10.4 静电放电警告
    5. 10.5 术语表
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

9.2.3 详细设计过程

为确保内部 LDO 正常运行，LP5861T 需要在 VCAP 和 GND 之间连接一个容值为 1μF 的外部电容器 CVCAP。必须将这个外部电容器放置在尽可能靠近器件的位置。

TI 建议在 VCC/VLED 与 GND 之间放置一个 1μF 电容器，在 VIO 与 GND 之间放置一个 1nF 电容器。将这些电容器放置在尽可能靠近器件的位置。

当使用 I2C 通信方法时，SCL 和 SDA 需要上拉电阻 Rpull-up。在典型应用中，TI 建议使用 1.8kΩ 至 4.7kΩ 的电阻。

为了降低器件到环境的热耗散，可以选择将电阻 RCS 与 LED 串联放置。这些电阻上的压降必须为 VSAT 留出足够的裕度，以确保器件正常工作。