ZHCSIB5J February   2001  – November 2016 LMV712-N , LMV712-N-Q1

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
    1.     Device Images
      1.      功率放大器控制环路
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 引脚配置和功能
    1.     引脚功能：DSBGA 封装
    2.     引脚功能：WSON 封装
    3.     引脚功能：VSSOP 封装
  6. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 额定值
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特征 – 2.7V
    6. 6.6 电气特征 – 5V
    7. 6.7 典型特征
  7. 7 详细 说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能框图
    3. 7.3 特性 说明
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 关断引脚
      2. 7.4.2 容性负载容差
      3. 7.4.3 闩锁
  8. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型 应用
      1. 8.2.1 高侧电流感应
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计流程
        3. 8.2.1.3 应用曲线
      2. 8.2.2 峰值检测器
        1. 8.2.2.1 设计要求
        2. 8.2.2.2 详细设计流程
      3. 8.2.3 GSM 功率放大器控制环路
        1. 8.2.3.1 设计要求
        2. 8.2.3.2 详细设计流程
  9. 9 电源建议
  10. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 相关链接
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 社区资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 静电放电警告
    6. 11.6 术语表
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.4.2 容性负载容差

在单位增益配置下，LMV712-N 可直接驱动 200pF，而不会出现振荡。单位增益跟随器是对容性负载最敏感的配置。直接容性负载可减小放大器的相位裕度。放大器的输出抗阻和容性负载的组合会引起相位滞后。这会导致欠阻尼的脉冲响应或振荡。要驱动电容更大的负载，TI 建议使用Figure 32 中所示的电路。

LMV712-N LMV712-N-Q1 10137032.gifFigure 32. 驱动高电容负载

在Figure 32 中，隔离电阻器 RISO 和负载电容器 CL 会形成一个极点，通过增大整个系统的相位裕度来提高稳定性。所需的性能取决于 RISO 值。RISO 电阻值越大，VOUT 越稳定。但是，当 RISO 变大时，直流精度会有所下降。如果该应用中有一个负载电阻器，则输出电压会由 RISO 和该负载电阻器各分得一部分。

相对于Figure 32 所示电路，Figure 33 中的电路更为出色，因为该电路可提供直流精度以及交流稳定性。在Figure 33 中，RF 通过使用前馈技术将 VIN 连接到 RL，从而提供直流精度。CF 和 RISO 通过将输出信号的高频分量反馈回放大器的反相输入来抵消相位裕度的损失，从而保持整个反馈环路中的相位裕度。可通过增大 CF 的值来增加容性驱动。这会进而降低脉冲响应的速度。

LMV712-N LMV712-N-Q1 10137033.gifFigure 33. 更高的直流精度