ZHDS112 March   2026 LMG3670R010

PRODUCT PREVIEW  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 开关特性
  7. 6 参数测量信息
    1. 6.1 开关参数
      1. 6.1.1 导通时间
      2. 6.1.2 关断时间
      3. 6.1.3 漏源导通和关断压摆率
      4. 6.1.4 零电压检测时间（仅限 LMG3676R010）
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
      1. 7.2.1 LMG3670R010 功能方框图
      2. 7.2.2 LMG3671R010 功能方框图
      3. 7.2.3 LMG3676R010 功能方框图
      4. 7.2.4 LMG3677R010 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 驱动强度调整
      2. 7.3.2 GaN 功率 FET 开关能力
      3. 7.3.3 VDD 电源
      4. 7.3.4 过流和短路保护
      5. 7.3.5 过热保护
      6. 7.3.6 UVLO 保护
      7. 7.3.7 故障报告
      8. 7.3.8 辅助 LDO（仅限 LMG3671R010）
      9. 7.3.9 零电压检测 (ZVD)（仅限 LMG3676R010）
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 压摆率选择
        2. 8.2.2.2 信号电平转换
    3. 8.3 电源相关建议
      1. 8.3.1 使用隔离式电源
      2. 8.3.2 使用自举二极管
        1. 8.3.2.1 二极管选型
        2. 8.3.2.2 管理自举电压
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 接收文档更新通知
    2. 9.2 支持资源
    3. 9.3 商标
    4. 9.4 静电放电警告
    5. 9.5 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1.     57

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

1 特性

  • 具有集成式栅极驱动器的 650V 10mΩ GaN 功率 FET
    • >200V/ns FET 释抑
    • 10V/ns 至 80V/ns 压摆率，用于优化开关性能与缓解 EMI
    • 可在电源引脚和输入逻辑引脚电压范围为 9V 至 26V 的情况下运行
  • 强大的保护
    • 响应时间 <300ns 的逐周期过流和锁存短路保护
    • 硬开关时可承受 720V 浪涌
    • 针对内部过热和 UVLO 监控的自我保护
  • 高级电源管理
    • LMG3676R010 包括零电压检测（ZVD）功能，便于转换器的软切换，
    • LMG3677R010 包括零电流检测（ZCD）功能，可促进转换器的软切换，
  • 顶部冷却 9.9mm × 12.3mm 纤薄 TOLT (STOLT) 封装将电气路径和散热路径分开，可实现超低的电源环路电感