ZHDS112 March   2026 LMG3670R010

PRODUCT PREVIEW  

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  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 开关特性
  7. 6 参数测量信息
    1. 6.1 开关参数
      1. 6.1.1 导通时间
      2. 6.1.2 关断时间
      3. 6.1.3 漏源导通和关断压摆率
      4. 6.1.4 零电压检测时间（仅限 LMG3676R010）
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
      1. 7.2.1 LMG3670R010 功能方框图
      2. 7.2.2 LMG3671R010 功能方框图
      3. 7.2.3 LMG3676R010 功能方框图
      4. 7.2.4 LMG3677R010 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 驱动强度调整
      2. 7.3.2 GaN 功率 FET 开关能力
      3. 7.3.3 VDD 电源
      4. 7.3.4 过流和短路保护
      5. 7.3.5 过热保护
      6. 7.3.6 UVLO 保护
      7. 7.3.7 故障报告
      8. 7.3.8 辅助 LDO（仅限 LMG3671R010）
      9. 7.3.9 零电压检测 (ZVD)（仅限 LMG3676R010）
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 压摆率选择
        2. 8.2.2.2 信号电平转换
    3. 8.3 电源相关建议
      1. 8.3.1 使用隔离式电源
      2. 8.3.2 使用自举二极管
        1. 8.3.2.1 二极管选型
        2. 8.3.2.2 管理自举电压
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 接收文档更新通知
    2. 9.2 支持资源
    3. 9.3 商标
    4. 9.4 静电放电警告
    5. 9.5 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
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请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

8.2.2.1 压摆率选择

将 LMG367xR010 的导通转换速率从大约 10V/ns 调整到 80V/ns，并将最大关断转换速率限制从 10V/ns 调整为无限（仅由 Ids 控制）。有关详细信息，请参阅节 7.3.1。

压摆率从以下方面影响 GaN 器件的性能：

  • 开关损耗
  • 电压过冲
  • 噪声耦合
  • EMI 发射

通常，高压摆率可实现低开关损耗，但高压摆率也会产生较高的电压过冲、噪声耦合和 EMI 发射。遵循此数据表中的设计建议可缓解由高压摆率引发的挑战。LMG367xR010 让电路设计人员能够灵活地选择合适的压摆率，从而使应用实现卓越的性能。