ZHCSLE8N January 2000 – April 2026 LM78L
PRODUCTION DATA
| 产品 | VERSION | VOUT |
|---|---|---|
| LM78LxxPKR SOT-89 封装 |
仅新芯片 CSO:RFB |
xx 是标称输出电压(例如,33 = 3.3V、05 = 5.0V、15 = 15.0V,…)。 PK 是 SOT-89 的封装标识符。 R 为封装数量(R = 大卷带)。 |
| LM78LxxyyM(X)(/NOPB) SOIC 封装 |
新芯片 CSO:RFB |
xx 是标称输出电压(例如,33 = 3.3V、05 = 5.0V、15 = 15.0V,…)。 yy 是结温范围标识符(AC 且 AI = –40°C 至 125°C)。 M 是封装标识符 (M = SOIC)。 (X) 表示包装数量(无 X = 管装、X = 大卷带)。 /NOPB 表示器件无铅。 |
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旧芯片 CSO:TID 或 GF6 |
xx 是标称输出电压(例如,05 = 5.0V、62 = 6.2V、15 = 15.0V,…)。 yy 是结温范围标识符(AC = 0°C 至 125°C,AI = –40°C 至 125°C)。 M 是封装标识符 (M = SOIC)。 (X) 表示包装数量(无 X = 管装、X = 大卷带)。 /NOPB 表示器件无铅。 |
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| LM78LxxACZ/yyyy TO-92 封装 |
仅旧芯片 CSO:TID 或 GF6 |
xx 是标称输出电压(例如,05 = 5.0V、12 = 12.0V、15 = 15.0V,…)。 AC 是结温范围标识符(AC = 0°C 至 125°C)。 Z 是封装标识符 (Z = TO-92)。 yyyy 表示包装方法和包装数量(LFT1、LFT7 = 大卷带、LFT3、LFT4 = 电池组、NOPB = 散装)。所有 LM78Lxx TO-92 器件均无铅。请参阅 TO-92 封装选项/订购说明应用手册,了解更多封装详情。 |
| LM78LxxITP(X)(/NOPB) DSBGA 封装 |
仅旧芯片 CSO:TID 或 GF6 |
xx 是标称输出电压(例如,05 = 5.0V,09 = 9.0V,…)。 ITP 是封装和结温范围标识符(ITP = DSBGA,–40°C 至 85°C)。 (X) 表示封装数量(无 X = 小卷带、X = 大卷带)。 /NOPB 表示器件无铅。 |