重要的 MOSFET 电气参数包括最大连续漏极电流 I_D、最大漏源电压 V_DS(MAX)、通过体二极管的最大源极电流和漏源导通电阻 R_DSON。

最大持续漏极电流 I_D 额定值必须超过最大持续负载电流。最大漏源电压 V_DS(MAX) 必须足够高，以便承受应用中所见的最高差分电压，包含任何预期故障条件。建议将电压等级为 60V 最大值的 MOSFET 与 LM74704-Q1 搭配使用，因为 ANODE 和 CATHODE 引脚最大电压额定值为 65V。LM74704-Q1 可驱动的最大 V_GS 为 13V，因此必须选择 V_GS 最小值为 15V 的 MOSFET。如果选择了 V_GS 额定值小于 15V 的 MOSFET，则可以使用齐纳二极管将 V_GS 钳位到安全电平。启动期间，浪涌电流会流过体二极管，为输出端的大容量保持电容器充电。流经体二极管的最大拉电流必须高于应用中可以看到的浪涌电流。

为了减少 MOSFET 传导损耗，应尽可能降低 R_DS(ON)，但根据低 R_DS(ON) 选择 MOSFET 可能并非总能如愿。更高的 R_DS(ON) 可在更低反向电流级别为 LM74704-Q1 反向比较器提供更高电压信息。随着 R_DS(ON) 的增加，反向电流检测效果更好。建议在标称负载条件下以稳压导通模式运行 MOSFET，并选择 R_DS(ON)，以便在标称工作电流下，正向压降 V_DS 接近 20mV 调节点且不超过 50mV。

原则上，选择 (20mV / I_{Load(Nominal)}) ≤ R_DS(ON) ≤ ( 50mV / I_{Load(Nominal)})。

MOSFET 制造商通常指定 V_GS 为 4.5V 和 V_GS 为 10V 的 R_DS(ON)。当 V_GS 低于 4.5V 时，R_DS(ON) 会大幅增加；当 V_GS 接近 MOSFET V_th 时，R_DS(ON) 最高。为了在轻负载条件下实现稳定调节，建议在 V_GS 接近 4.5V（即远高于 MOSFET 栅极阈值电压）时运行 MOSFET。建议选择典型栅极阈值电压 V_th 为 2V 至 2.5V 的 MOSFET。选择较低 V_th MOSFET 也会缩短导通时间。

根据设计要求，首选 MOSFET 额定值为：

• 60V V_DS(MAX) 和 ±20V V_GS(MAX)
• 3A 标称电流下的 R_DS(ON)：(20mV / 3A ) ≤ R_DS(ON) ≤ (50mV / 3A ) = 6.67mΩ ≤ R_DS(ON) ≤ 16.67mΩ
• MOSFET 栅极阈值电压 _Vth：2 V（典型值）

必须根据 MOSFET 的预期最大功率耗散来考虑 MOSFET 的热阻，确保结温 (T_J) 得到良好控制。