ZHCSQU8A May   2023  – December 2023 LM74703-Q1 , LM74704-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 开关特性
    7. 6.7 典型特性
  8. 7 参数测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 输入电压
      2. 8.3.2 电荷泵
      3. 8.3.3 栅极驱动器
      4. 8.3.4 使能
      5. 8.3.5 FET 状态指示 (FETGOOD)
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 关断模式
      2. 8.4.2 导通模式
        1. 8.4.2.1 稳压导通模式
        2. 8.4.2.2 完全导通模式
        3. 8.4.2.3 反向电流保护模式
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 设计注意事项
        2. 9.2.2.2 MOSFET 选型
        3. 9.2.2.3 电荷泵 VCAP、输入和输出电容
        4. 9.2.2.4 适合 12V 电池保护应用的 TVS 二极管选型
        5. 9.2.2.5 适合 24V 电池保护应用的 TVS 二极管和 MOSFET 选型
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 电源建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

9.4.1 布局指南

  • 将 LM74703-Q1、LM74704-Q1 的 ANODE、GATE 和 CATHODE 引脚连接到靠近 MOSFET 源极、栅极和漏极引脚的位置。
  • 该设计的高电流路径通过 MOSFET，因此务必为 MOSFET 的源极和漏极使用粗布线，以便更大限度地降低电阻损耗，这非常重要。
  • VCAP+ 和 VCAP– 引脚上的电荷泵电容器必须远离 MOSFET，来降低对电容值的热影响。
  • 必须用较短的布线将 LM74703-Q1、LM74704-Q1 的 GATE 引脚连接到 MOSFET 栅极。避免使用过细而长的布线连接到栅极驱动器。
  • 使 GATE 引脚靠近 MOSFET，以避免由于布线电阻而增加 MOSFET 关断延迟。
  • 使用替代布局方案也许能够获得可接受的性能；不过，布局示例 中显示的布局可用作指南，且效果良好。