ZHCSZ55C October   2008  – November 2025 LM5576-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 关断/待机
      2. 6.3.2 软启动
      3. 6.3.3 热保护
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 高压启动稳压器
      2. 6.4.2 振荡器和同步功能
      3. 6.4.3 误差放大器和 PWM 比较器
      4. 6.4.4 斜坡发生器
      5. 6.4.5 最大占空比/输入压降电压
      6. 6.4.6 升压引脚
      7. 6.4.7 电流限值
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 降低偏置功率耗散
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1  使用 WEBENCH® 工具创建定制设计方案
        2. 7.2.2.2  外部组件
        3. 7.2.2.3  R3 (R)T
        4. 7.2.2.4  L1
        5. 7.2.2.5  C3 (CRAMP)
        6. 7.2.2.6  C9、C10
        7. 7.2.2.7  D1
        8. 7.2.2.8  C1, C2
        9. 7.2.2.9  C8
        10. 7.2.2.10 C7
        11. 7.2.2.11 C4
        12. 7.2.2.12 R5、R6
        13. 7.2.2.13 R1、R2、C12
        14. 7.2.2.14 R7、C11
        15. 7.2.2.15 R4、C5、C6
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
      3. 7.4.3 功率耗散
      4. 7.4.4 散热注意事项
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 开发支持
        1. 8.1.1.1 使用 WEBENCH® 工具创建定制设计方案
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.2.2.7 D1

所有 LM5576-Q1 应用都需要肖特基型再循环二极管。不建议使用超快二极管，这可能会因反向恢复电流瞬态而导致 IC 损坏。对于 LM5576-Q1 常见的高输入电压和低输出电压应用，接近理想的反向恢复特性和低正向压降是特别重要的二极管特性。反向恢复特性决定降压开关导通时电流浪涌在每个周期的持续时间。肖特基二极管的反向恢复特性可以更大限度地降低每个周期导通期间降压开关中出现的峰值瞬时功率。使用肖特基二极管时，降压开关产生的开关损耗可显著降低。必须针对最大 VIN 加上一些安全裕度，选择反向击穿额定值。

正向压降对转换效率具有重大影响，尤其是对于输出电压较低的应用。不同制造商提供的二极管额定 电流差异很大。最差的情况是假定短路负载条件。在这种情况下，二极管几乎连续承载输出电流。对于 LM5576-Q1，该电流可高达 4.2A。假设二极管两端的压降为 1V（最差情况下），则二极管最大功率耗散可高达 4.2W。对于该参考设计，选择了采用 DPAK 封装的 100V 肖特基二极管。