ZHCSNF0D May   2018  – August 2026 ISOW1412 , ISOW1432

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议运行条件
    4. 6.4  热性能信息
    5. 6.5  功率等级
    6. 6.6  绝缘规格
    7. 6.7  安全相关认证
    8. 6.8  安全限值
    9. 6.9  电气特性
    10. 6.10 VISOOUT = 3.3V 下的电源电流特性
    11. 6.11 VISOOUT = 5V 下的电源电流特性
    12. 6.12 VISOOUT = 3.3V 时的开关特性
    13. 6.13 VISOOUT = 5V 时的开关特性
    14. 6.14 绝缘特性曲线
    15. 6.15 典型特性
  8. 7 参数测量信息
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 电源隔离
    3. 8.3 信号隔离
    4. 8.4 RS-485
    5. 8.5 功能方框图
    6. 8.6 特性说明
      1. 8.6.1 上电和断电行为
      2. 8.6.2 保护特性
      3. 8.6.3 失效防护接收器
      4. 8.6.4 上电和断电无干扰
    7. 8.7 器件功能模式
    8. 8.8 器件 I/O 原理图
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 数据速率、总线长度和总线负载
        2. 9.2.2.2 桩线长度
      3. 9.2.3 绝缘寿命
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

9.4.1 布局指南

图 11-1 显示了器件旁路电容器的推荐布置和布线。为实现低辐射设计，必须遵循以下指南：

  1. 10nF 高频旁路电容器必须靠近 VDD 和 VISOOUT 引脚放置，距离器件引脚的距离小于 1mm。这对于优化辐射发射性能至关重要。验证这些电容器尺寸为 0402，以使电容器产生最少的电感 (ESL)。
  2. 在电源转换器输入端 (VDD) 和输出端 (VISOOUT) 电源引脚上必须放置至少 10µF 的大容量电容器。
  3. VDD 和 GND1 上的布线必须对称，一直到连接旁路电容器。同样，VISOOUT 和 GND2 上的布线须保持对称。
  4. 将两个 0402 型铁氧体磁珠（器件型号：BLM15EX331SN1）放置在电源引脚上，一个位于 VISOOUT 和 VISOIN 之间，另一个位于 GND2(11) 和 GISOIN(15) 之间，如示例 PCB 布局所示，因此电源转换器输出的任何高频噪声在到达 PCB 上的其他元件之前都会出现高阻抗。
  5. 在电源转换器输出端子 VISOOUT（引脚 12）和 GND2（引脚 11）的 4mm 范围内，不得有任何金属布线或接地覆铜。MODE 引脚也处于 VISOOUT 域中，并且必须短接至引脚 11 或引脚 12 才能选择输出电压。
  6. 总线端子 (Y/Z/A/B) 上的共模扼流圈或铁氧体磁珠可以大幅减少任何高频噪声，这些噪声可能会耦合到 RS-485 总线电缆上，而电缆可用作天线并放大该噪声。这有助于改善系统级的辐射发射性能。
  7. 对于低辐射发射设计，强烈建议尽可能遵循 EVM 的布局指南。相关文档中提供了对 EVM 的参考。