10 修订历史记录
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLB (June 2016)to RevisionC (April 2025)
- 更新了整个文档中的表格、图和交叉参考的编号格式Go
- 在绝缘规格表中添加了 CPG/CLR 的 15mm(典型值)规格Go
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLA (September 2015)to RevisionB (June 2016)
- 将
节 1
从低功耗,1Mbps 时每通道的电流典型值为 1.8mA 更改为:低功耗,1Mbps 时的电流典型值为 1.8mAGo
- 将
节 1
从低传播延迟:11ns(典型值)更改为:低传播延迟:10.7ns(典型值)Go
- 将
节 1
从安全和监管批准更改为安全相关认证Go
- 添加了超宽体封装(16 引脚 SOIC [DWW])选项Go
- 将 INA、OUTA、VCCI 和 VCCO 引脚名称分别更改为 IN、OUT、VCC1 和 VCC2,更新了引脚排列图、引脚功能表和其他图以匹配Go
- 将结温从
节 5.3
改为了
节 5.1
Go
- 更改了 DW 封装的热性能信息值,添加 DWW 封装的值Go
- 更改了额定功率表中的值Go
- 将
节 5.6
移动到了
节 5
部分Go
- 将 CIO 规格从2pF 更改为:≅0.75 pFGo
- 将
节 5.7
移动到了
节 5
部分Go
- 将
节 5.8
移动到了
节 5
部分Go
- 将 CMTI 最小值从 50 更改为 100,删除了 5V 和 3.3V 电气特性表中的最大值。另外在测试条件中添加了 VCM
Go
- 更改了所有电气特性表中电源电流、交流参数(100Mbps 时)的最大值Go
- 将 CMTI 最小值从 70 更改为 100,删除了 2.5V 电气特性表中的最大值。另外在测试条件中添加了 VCM
Go
- 在所有开关特性表中添加了禁用和启用传播延时参数Go
- 将
节 5.15
中的 tfs 更改为 tDO
Go
- 将
节 5.16
中的 tfs 更改为 tDO
Go
- 将
节 5.17
中的 tfs 更改为 tDO
Go
- 添加了
节 5.18
部分Go
- 在
节 5.18
部分中添加了 DW 和 DWW 封装的寿命预测曲线Go
- 在参数测量部分添加了默认输出延迟时间测试电路和电压波形Go
- 将
节 8.1
中的文本“双通道数字隔离器”更改为:“单通道数字隔离器”Go
- 将
节 8.2
部分中的文本“直流/直流转换器”更改为: “变压器驱动器”Go
- 更改了图 8-1
Go
Date Letter Revision History Changes Intro HTML* (July 2015)to RevisionA (September 2015)