ZHCSI66B November   2020  – April 2021 INA849

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 器件比较表
  6. 6 引脚配置和功能
  7. 7 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 建议运行条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 典型特性
  8. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 可调增益设置
      2. 8.3.2 增益漂移
      3. 8.3.3 宽输入共模范围
    4. 8.4 器件功能模式
  9. 9 应用和实现
    1. 9.1 应用信息
      1. 9.1.1 基准引脚
      2. 9.1.2 输入偏置电流返回路径
      3. 9.1.3 功率损耗引起的热效应
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 传感器调节电路
        1. 9.2.1.1 设计要求
        2. 9.2.1.2 详细设计过程
      2. 9.2.2 麦克风前置放大器电路中的幻象电源
  10. 10电源相关建议
  11. 11布局
    1. 11.1 布局指南
    2. 11.2 布局示例
  12. 12器件和文档支持
    1. 12.1 文档支持
      1. 12.1.1 相关文档
    2. 12.2 接收文档更新通知
    3. 12.3 支持资源
    4. 12.4 商标
    5. 12.5 静电放电警告
    6. 12.6 术语表
  13. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.5 电气特性

TA = 25°C，VS = ±15V，RL = 10kΩ，接地，VREF = 0V，VCM = 0V 且 G = 1（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
输入
VOSI 输入级失调电压(1) (3) 10 35 µV
TA = –40°C 至 +125°C(2) 75
输入级失调电压漂移 TA=-40°C 至 +125°C 0.1 0.4 µV/°C
VOSO 输出级失调电压(1) (3) 50 500 µV
TA = –40°C 至 +125°C(2) 2000
输出级失调电压漂移 TA = –40°C 至 +125°C(2) 15 µV/°C
PSRR 电源抑制比 G = 1，RTI 106 120 dB
G = 10，RTI 114 120
G = 100，RTI 121 126
G = 1000，RTI 123 128
Zin 输入阻抗 1 || 7 GΩ || pF
RFI 滤波器，–3dB 频率 220 MHz
VCM 工作输入电压(4) (–VS) + 2.5 (+VS) – 2.5 V
VS = ±4V 至 ±18V 请参阅图 8-2 和图 8-3
CMRR 共模抑制比 直流至 60Hz，RTI，
VCM = (V–) + 2.5V 至 (V+) – 2.5V，
G = 1		 92 110 dB
直流至 60Hz，RTI，
VCM = (V–) + 2.5V 至 (V+) – 2.5V，
G = 10		 112 125
直流至 60Hz，RTI，
VCM = (V–) + 2.5V 至 (V+) – 2.5V，
G = 100		 120 127
直流至 60Hz，RTI，
VCM = (V–) + 2.5V 至 (V+) – 2.5V，
G = 1000		 120 127
偏置电流
IB 输入偏置电流 VCM = VS/2 20 nA
输入偏置电流漂移 TA=-40°C 至 +125°C 10 80 pA/°C
IOS 输入失调电流 VCM = VS/2 6 nA
输入失调电流漂移 TA = –40°C 至 +125°C 5 pA/°C
噪声电压
eNI 输入级电压噪声(8) f = 1kHz，G = 1000，
RS = 0Ω		 1 nV/√Hz
fB = 0.1Hz 至 10Hz，G = 1000，
RS = 0Ω		 0.06 µVPP
eNO 输出级电压噪声(8) f = 1kHz，RS = 0Ω 45 nV/√Hz
fB = 0.1Hz 至 10Hz，
RS = 0Ω		 5 µVPP
iN 电流噪声 f = 1kHz(9) 1.1 pA/√Hz
fB = 0.1Hz 至 10Hz 100 pAPP
增益
G 增益公式 1 + (6kΩ/RG) V/V
增益 1 10000 V/V
GE 增益误差 (8) G = 1，VO = ±10V ±0.005 ±0.025 %
G = 10，VO = ±10V ±0.025 ±0.1
G = 100，VO = ±10V ±0.025 ±0.1
G = 1000，VO = ±10V ±0.05
增益误差漂移(5) G = 1，TA = –40°C 至 +125°C ±5 ppm/ °C
G > 1，TA = –40°C 至 +125°C ±35
增益非线性 G = 1，VO = -10V 至 +10V 3 ppm
G = 10(7)，VO = –10V 至 +10V 10
THD 总谐波失真 f = 1kHz，VO = 10VPP 127 dBc
HD2 二阶谐波失真 f = 1kHz，VO = 10VPP 127 dBc
HD3 三阶谐波失真 f = 1kHz，VO = 10VPP 157 dBc
THD 总谐波失真 f = 10kHz，VO = 10VPP 119 dBc
HD2 二阶谐波失真 f = 10kHz，VO = 10VPP 130 dBc
HD3 三阶谐波失真 f = 10kHz，VO = 10VPP 120 dBc
输出
电压摆幅 RL = 10kΩ (V–) + 0.15 (V+) – 0.15 V
负载电容稳定性 200 pF
ZO 闭环输出阻抗 f = 1MHz 1.5 Ω
ISC 短路电流 持续达 VS/2 ±34 mA
频率响应
BW 带宽，–3dB G = 1 28 MHz
G = 10 13
G = 100 8
G = 1000 1.25
SR 压摆率 G = 1，VSTEP = 10V 35 V/µs
tS 建立时间 0.01%，G = 1 至 100，
VSTEP = 10V		 0.4 µs
0.01%，G = 1000，
VSTEP = 10V		 0.4
0.001%，G = 1 至 100，
VSTEP = 10V		 0.6
0.001%，G = 1000，
VSTEP = 10V		 1.5
基准输入
RIN 输入阻抗 10 kΩ
输入电流 80 µA
基准输入电压 (V–) (V+) V
输出增益 1 V/V
基准增益误差 VO = ±10V，在电压摆幅范围内 0.01 0.05 %
电源
IQ 静态电流 (8) VIN = 0V 6.2 6.6 mA
TA = -40°C 至 +125°C 8.9
(1) 总失调电压，以输入为基准 (RTI)：VOS = (VOSI) + (VOSO/G)。
(2) 根据特征确定。未经量产测试。
(3) 失调漂移具有不相关性。使用以下公式计算输入参考失调漂移：ΔVOS(RTI) = √[ΔVOSI 2 + (ΔVOSO/G)2]。 
(4) 输入级的输入电压范围。输入范围取决于共模电压、差分电压、增益和基准电压；请参阅图 7-12。
(5) 为 G > 1 指定的值不包括外部增益电阻器 RG 带来的影响。
(6) 热效应会降低输入级非线性，因此会随增益变化而改变；请参阅图 9-5。
(7) 该参数在高速自动测试环境中进行测试，不测量时间常数较长的热效应。热效应取决于电源电压、布局、散热和气流条件。
(8) 总 RTI 电压噪声等于：eN(RTI) = √[eNI 2 + (eNO / G)2]。
(9) 为不平衡输入阻抗指定的输入电流噪声密度。偏置电流消除功能改善了平衡系统的噪声性能；请参阅图 7-25。