ZHCSQC7B May 2023 – June 2025 INA700
PRODUCTION DATA
| 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 输入 | ||||||
| CMRR | 共模抑制 | –0.3V < VCM < 40V,TA = –40°C 至 +105°C | ±1 | ±100 | µA/V | |
| Ios | 输入失调电流 | TCT > 280µs | ±0.48 | ±1.5 | mA | |
| dVos/dT | 输入失调电流漂移 | TA = -40°C 至 +105°C | ±50 | ±250 | µA/°C | |
| PSRR | 输入失调电流与电源间的关系 | VS = 2.7V 至 5.5V,TA = -40°C 至 +105°C | ±0.05 | ±0.7 | mA/V | |
| Vos_bus | VBUS 失调电压 | ±6.2 | ±15 | mV | ||
| dVos/dT | VBUS 失调电压偏移 | TA = -40°C 至 +105°C | ±4 | ±40 | µV/°C | |
| PSRR | VBUS 失调电压与电源间的关系 | VS = 2.7V 至 5.5V | ±1.1 | mV/V | ||
| 直流精度 | ||||||
| GSERR | 系统电流检测增益误差 (1) | ISENSE = 5A,TA = 25°C | ±0.1 | ±0.5 | % | |
| ISENSE = 10A,TA = 25°C | ±1.25 | % | ||||
| GS_DRFT | 系统电流检测增益误差漂移 | –40°C ≤ TA ≤ 105°C | ±15 | ±50 | ppm/°C | |
| GBERR | VBUS 电压增益误差 | VCM = 0V 至 40V,TA = 25°C | ±0.05 | ±0.2 | % | |
| GB_DRFT | VBUS 电压增益误差偏移 | –40°C ≤ TA ≤ 105°C | ±30 | ppm/°C | ||
| IBUS | VBUS 漏电流 | 通过有效转换启用器件 | 12 | µA | ||
| PTME | 功率总测量误差 (TME) | TA = 25°C,VCM = 12V,ILOAD = 5A | ±0.15 | ±0.85 | % | |
| ETME | 电能和电荷 TME | TA = 25°C,VCM = 12V,ILOAD = 5A | ±0.25 | ±1.35 | % | |
| ADC 分辨率 | 16 | 位 | ||||
| 1 个最低有效位 (LSB) 阶跃幅度 | 电流 | 480 | µA | |||
| 总线电压 | 3.125 | mV | ||||
| 温度 | 125 | m°C | ||||
| 电源 | 96 | µW | ||||
| 电能 | 1.536 | mJ | ||||
| 电荷 | 30 | µC | ||||
| TCT | ADC 转换时间(2) | 转换时间字段 = 0h | 50 | µs | ||
| 转换时间字段 = 1h | 84 | |||||
| 转换时间字段 = 2h | 150 | |||||
| 转换时间字段 = 3h | 280 | |||||
| 转换时间字段 = 4h | 540 | |||||
| 转换时间字段 = 5h | 1052 | |||||
| 转换时间字段 = 6h | 2074 | |||||
| 转换时间字段 = 7h | 4120 | |||||
| INL | 积分非线性 | 内部 ADC | ±5 | m% | ||
| 时钟源 | ||||||
| FOSC | 内部振荡器频率 | 1 | MHz | |||
| OSCTOL | 内部振荡器频率容限 | TA = 25°C | ±0.07 | ±0.5 | % | |
| TA = -40°C 至 +105°C | ±0.14 | ±1 | % | |||
| 温度传感器 | ||||||
| 测量范围 | -40 | +125 | °C | |||
| 温度精度 | TJ = 25°C | +1.3 | ±2.5 | °C | ||
| TJ = –40°C 至 +125°C | +1.5 | ±3 | °C | |||
| 集成分流器 | ||||||
| 内部开尔文电阻 | TA = 25°C | 2 | mΩ | |||
| 引脚对引脚封装电阻 | IN+ 至 IN–,TA = 25°C | 2.2 | 3.6 | 5 | mΩ | |
| 最大分流电流(3) | TA = 25°C | ±15 | A | |||
| TA = 65°C | ±10 | A | ||||
| 短路时间过载变化 | ISENSE = 20A 并持续 5 秒 | ±0.02 | % | |||
| 因温度循环而变化 | –55°C ≤ TJ ≤ 125°C,700 个周期 | ±0.35 | % | |||
| 焊接热导致的电阻变化 | 260°C 焊接,10s | ±0.03 | % | |||
| 负载寿命变化 | 1000 小时,TJ = 125°C,ISENSE = 7A,100% 负载 | ±0.7 | % | |||
| 高温暴露变化 | 1000 小时,TA = 150°C,未偏置 | ±0.7 | % | |||
| 低温贮存变化 | 24 小时,TA = -65°C,未偏置 | ±0.2 | % | |||
| 电源 | ||||||
| VS | 电源电压 | 2.7 | 5.5 | V | ||
| IQ | 静态电流 | VSENSE = 0V | 640 | 700 | µA | |
| VSENSE = 0V,TA = –40°C 至 +105°C | 1.1 | mA | ||||
| IQSD | 静态电流,关断 | 关断模式 | 2.8 | 5 | µA | |
| TPOR | 器件启动时间 | 加电 (NPOR) | 300 | µs | ||
| 从关断模式 | 60 | |||||
| 数字输入/输出 | ||||||
| VIH | 逻辑输入电平,高 | SDA、SCL | 1.2 | 5.5 | V | |
| VIL | 逻辑输入电平,低 | GND | 0.4 | V | ||
| VOL | 逻辑输出电平,低 | IOL = 3mA | GND | 0.4 | V | |
| IIO_LEAK | 数字泄漏输入电流 | 0 ≤ VIN ≤ VS | -1 | 1 | µA | |