ZHCSIY1F October   2018  – April 2021 INA592

PRODUCTION DATA  

  1. 特性
  2. 应用
  3. 说明
  4. 修订历史记录
  5. 器件比较表
  6. 引脚配置和功能
  7. 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 建议运行条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 电气特性:G = 1/2
    6. 7.6 电气特性:G = 2
    7. 7.7 典型特性
  8. 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
    4. 8.4 器件功能模式
  9. 应用和实现
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 基本电源和信号连接
        1. 9.2.1.1 设计要求
        2. 9.2.1.2 详细设计过程
          1. 9.2.1.2.1 工作电压
          2. 9.2.1.2.2 失调电压调整
          3. 9.2.1.2.3 输入电压范围
          4. 9.2.1.2.4 容性负载驱动能力
        3. 9.2.1.3 应用曲线
      2. 9.2.2 其他应用
  10. 10电源相关建议
  11. 11布局
    1. 11.1 布局指南
    2. 11.2 布局示例
  12. 12器件和文档支持
    1. 12.1 文档支持
      1. 12.1.1 相关文档
    2. 12.2 接收文档更新通知
    3. 12.3 支持资源
    4. 12.4 商标
    5. 12.5 静电放电警告
    6. 12.6 术语表
  13. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

电气特性:G = 1/2

TA = 25°C,VS = ±2.25V 至 ±18V,VCM = VOUT = VS/2,RL = 10kΩ 接地,REF 引脚接地(除非另有说明)
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
失调电压 (RTO)(1)
VOS 输入失调电压 RTO,VS = ±2.25V 至 ±3V,VCM = –3V ±14 ±40 µV
RTO,VS = ±3V 至 ±18V ±14 ±40
dVOS/dT 输入失调电压漂移 ±0.7 ±2.0 µV/°C
PSRR 电源抑制比 VS = ±3V 至 ±18V ±0.5 ±5 µV/V
输入电压
VCM 共模电压 VO = 0V 3[(V–)–0.1]
–2VREF
3(V+)–2VREF V
CMRR 共模抑制比 RTO,3 [(V−) – 0.1V)]
≤ VCM ≤ 3 [(V+) – 3V]
88 100 dB
TA = –40°C 至 +125°C 82 90
RTO,3 [(V+) – 1.5V)]
≤ VCM ≤ 3 [(V+))]
88 100
TA = –40°C 至 +125°C 72 90
输入阻抗(2)
zid 差分  VO = 0V 24
zic 共模 9 kΩ,
增益
G 初始 1/2 V/V
GE 增益误差 VO = –10V 至 +10V,VS = ±15V ±0.01 ±0.03 %
增益漂移(3) ±0.2 ±0.5 ppm/ °C
增益非线性 VO = –10V 至 +10V,VS = ±15V 1 ppm
输出
VO 输出电压摆幅 正电源轨 (V+) – 170 (V+) – 220 mV
负电源轨 (V−) + 190 (V−) + 220
ISC 短路电流 ±65 mA
噪声
En 输出电压噪声 f = 0.1Hz 至 10Hz,RTO 3 μVpp
en 输出电压噪声密度 f = 1kHz,RTO 18 nV/√Hz
频率响应
BW 小信号 –3dB 带宽 2.0 MHz
SR 压摆率 18 V/µs
tS 建立时间 至最终值的 0.1%,VO = 10V 阶跃 1 µs
至最终值的 0.01%,VO = 10V 阶跃 1.3
THD+N 总谐波失真 + 噪声 f = 1kHz,VO = 2.8VRMS 0.00038 %
本底噪声,RTO 80kHz 带宽,VO = 3.5VRMS –116 dB
tDR 过载恢复时间 200 ns
电源
IQ 静态电流 IO=0mA 1.1 1.2 mA
TA = -40°C 至 +125°C 1.5 mA
包括放大器输入偏置和失调电流带来的影响。
电阻器比率匹配,但绝对值为 ±20%。
通过晶圆测试指定至 95% 置信水平。