ZHCSU84B December   2023  – March 2024 INA500

PRODMIX  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性 - INA500A
    6. 6.6 电气特性 - INA500B
    7. 6.7 电气特性 - INA500C
    8. 6.8 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 增益选项和电阻器
        1. 7.3.1.1 增益误差和漂移
      2. 7.3.2 输入共模电压范围
      3. 7.3.3 EMI 抑制
      4. 7.3.4 典型规格与分布
      5. 7.3.5 电气过应力
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 基准引脚
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 使用差分放大器进行电池监控
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计过程
        3. 8.2.1.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 开发支持
        1. 9.1.1.1 PSpice® for TI
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DBV|6
  • DCK|6
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.7 电气特性 - INA500C

对于 VS = (V+) – (V-) = 1.7V 至 5.5V（±0.85V 至 ±2.75V），TA = 25°C，VMID = [(V+) + (V–)] / 2，G = 0.25，VREF = VMID，RL = 100kΩ（连接到 VMID），VCM = [(VIN+) + (VIN–)] / 2 = VMID，VIN = (VIN+ – VIN–) = 0V 和 VOUT = VMID（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
偏移量
VOSO 失调电压，RTO VS = 5.5V TA = 25°C ±0.40 ±2.2 mV
失调电压随温度变化的情况，RTO VS = 5.5V TA = -40°C 至 125°C ±2.3 mV
失调电压温漂，RTO(1) VS = 5.5V TA = -40°C 至 125°C ±1.1 5.5 µV/°C
PSRR 电源抑制比 VS = 1.7V 至 5.5V TA = 25°C   40 130 µV/V
输入阻抗
RIN-DM 差分电阻 3360 kΩ 
RIN-CM 共模电阻 1050 kΩ 
输入电压
VCM 输入共模范围 VREF = VMID 5*(V–) – 4*(VREF) 5*(V+) – 4*(VREF) V
CMRR DC 共模抑制比，RTO VCM = [5*(V–) – 4*(VREF)] 至 [5*(V+) – 4*(VREF) – 3.5] VS = 5.5V，VREF = VMID 77.7 85 dB
CMRR DC 共模抑制比，RTO VCM = [5*(V–) – 4*(VREF)] 至 [5*(V+) – 4*(VREF)] VS = 5.5V，VREF = VMID 70 dB
噪声电压
eNI 输出电压噪声密度 f = 1kHz 150 nV/√Hz
f = 10kHz 140
ENI 输出电压噪声 fB = 0.1Hz 至 10Hz 7.5 µVPP
增益
GE 增益误差(2) VREF = VMID VO = (V–) + 0.1V 至 (V+) – 0.1V ±0.003 ±0.1 %
增益漂移与温度间的关系(2) G = 0.5 TA = -40°C 至 125°C ±1 ppm/°C
输出
VOH 正电源轨余量 RL = 10kΩ 至 VMID 15 25 mV
VOL 负电源轨余量 RL = 10kΩ 至 VMID 15 20 mV
CL 驱动 负载电容驱动 VO = 100mV 阶跃，过冲 < 20% 100 pF
ZO 闭环输出阻抗 f = 10kHz 180 Ω
ISC 短路电流 VS = 5.5V ±30 mA
频率响应
BW 带宽，–3dB VIN = 10mVpk-pk 160 kHz
THD + N 总谐波失真 + 噪声 VS = 5.5V，VCM = 2.75V，VO = 1VRMS，RL = 100kΩ
ƒ = 1kHz，80kHz 测量 BW		 0.017 %
EMIRR 电磁干扰抑制比 f = 1GHz，VIN_EMIRR = 100mV 105 dB
SR 压摆率 VS = 5V，VO = 2V 阶跃 0.19 V/µs
tS 稳定时间 精度为 0.1%，VS = 5.5V，VSTEP = 2V，CL = 10pF 20 µs
精度为 0.01%，VS = 5.5V，VSTEP = 2V，CL = 10pF 32
稳定时间 精度为 0.1%，VS = 5.5V，VOUT_STEP = 4V，CL = 10pF 26
精度为 0.01%，VS = 5.5V，VOUT_STEP = 4V，CL = 10pF 40
过载恢复 VSTEP = VS  / G 23.2 µs
基准输入
REF - VIN 输入电压范围 VS = 5.5V，VREF = VMID (V–)  (V+)  V
REF - G 以输出为基准的增益 1 V/V
REF - GE 基准增益误差(2) VS = 5.5V ±0.002 ±0.02 %
电源
VS 电源电压 双电源 ±0.85 ±2.75 V
IQ 静态电流 VS = 1.7V 15 µA
IQ 静态电流 VS = 5.5V 14 19 µA
VS = 5.5V TA = -40°C 至 125°C 20
(1) 失调漂移具有不相关性。 
(2) 最小值和最大值由表征特性指定。