ZHCSJL2B April   2019  – July 2021 INA186

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 引脚配置和功能
  6. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  7. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 精密电流测量
      2. 7.3.2 低输入偏置电流
      3. 7.3.3 具有输出使能的低静态电流
      4. 7.3.4 双向电流监测
      5. 7.3.5 高侧和低侧电流检测
      6. 7.3.6 高共模抑制
      7. 7.3.7 轨到轨输出摆幅
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 正常运行
      2. 7.4.2 单向模式
      3. 7.4.3 双向模式
      4. 7.4.4 输入差分过载
      5. 7.4.5 关断
  8. 8 应用和实现
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 基本连接
      2. 8.1.2 RSENSE 和器件增益选择
      3. 8.1.3 信号调节
      4. 8.1.4 共模瞬态电压
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
      3. 8.2.3 应用曲线
  9. 9 电源相关建议
  10. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 相关文档
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 支持资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 静电放电警告
    6. 11.6 术语表
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.5 电气特性

TA = 25°C，VSENSE = VIN+ – VIN–，VS = 1.8V 至 5.0V，VIN+ = 12V，VREF = VS/2，且 VENABLE = VS（除非另有说明）
参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位
输入
CMRR 共模抑制比  VSENSE = 0mV，VIN+ = –0.1V 至 40V，TA = –40°C 至 +125°C 120 150 dB
VOS 失调电压，RTI(1) VS = 1.8V，VSENSE = 0mV -3 ±50 µV
dVOS/dT 温漂，RTI VSENSE = 0V，TA = –40°C 至 +125°C 0.05 0.5 µV/°C
PSRR 电源抑制比，RTI VSENSE = 0mV，VS = 1.7V 至 5.5V -1 ±10 µV/V
IIB 输入偏置电流 VSENSE = 0mV 0.5 3 nA
IIO 输入失调电流 VSENSE = 0mV ±0.07 nA
输出
G 增益 A1 器件 25 V/V
A2 器件 50
A3 器件 100
A4 器件 200
A5 器件 500
EG 增益误差 VOUT = 0.1 V 至 VS – 0.1 V -0.04% ±1%
增益误差漂移 TA=-40°C 至 +125°C 2 10 ppm/°C
非线性误差 VOUT = 0.1 V 至 VS – 0.1 V ±0.01%
RVRR 基准电压抑制比
VREF = 100mV 至 VS – 100mV，
TA = –40°C 至 +125°C		 ±2 ±10 µV/V
最大容性负载 无持续振荡 1 nF
电压输出
VSP 相对于 VS 电源轨的摆幅 VS = 1.8V，RL = 10kΩ 至 GND，TA = –40°C 至 +125°C (VS) – 20 (VS) – 40 mV
VSN 到 GND 的摆幅 VS = 1.8V，RL = 10kΩ 至 GND，TA = –40°C 至 +125°C，
VSENSE = –10mV，VREF = 0V		 (VGND)+0.05 (VGND)1 mV
VZL 零电流输出电压 VS = 1.8V，RL = 10kΩ 至 GND，
TA = –40°C 至 +125°C，VSENSE = 0mV，VREF = 0V		 (VGND)2 (VGND)10 mV
频率响应
BW 带宽 A1 器件，CLOAD = 10pF 45 kHz
A2 器件，CLOAD = 10pF 37
A3 器件，CLOAD = 10pF 35
A4 器件，CLOAD = 10pF 33
A5 器件，CLOAD = 10pF 27
SR 压摆率 VS = 5.0V，VOUT = 0.5V 至 4.5V 0.3 V/µs
tS 趋稳时间 从电流阶跃到最终值的 1% 以内 30 µs
噪声，RTI(1)
电压噪声密度 75 nV/√Hz
ENABLE
IEN 输入漏电流 0V ≤ VENABLE ≤ VS 1 100 nA
VIH 高电平输入电压 DDF 封装 0.7 × VS 6 V
VIL 低电平输入电压 0 0.3 × VS V
VHYS Hysteresis 300 mV
VIH 高电平输入电压 YFD 封装 1.35 5.5 V
VIL 低电平输入电压 0 0.4 V
VHYS 迟滞 100 mV
IODIS 输出泄漏已禁用 VS = 5.0V，VOUT = 0V 至 5.0V，VENABLE = 0V 1 5 µA
电源
IQ 静态电流 VS = 1.8V，VSENSE = 0mV 48 65 µA
VS = 1.8V，VSENSE = 0mV，TA = –40°C 至 +125°C 90 µA
IQDIS 静态电流已禁用 VENABLE = 0V，VSENSE = 0mV 10 100 nA
(1) RTI = 以输入为参考。