ZHCSY07C August   1987  – December 2025

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 建议运行条件
    3. 5.3 热性能信息
    4. 5.4 电气特性
    5. 5.5 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 增益误差和漂移
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
    3. 7.3 其他应用
    4. 7.4 电源相关建议
    5. 7.5 布局
      1. 7.5.1 布局指南
      2. 7.5.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 器件命名规则
      2. 8.1.2 开发支持
        1. 8.1.2.1 PSpice® for TI
        2. 8.1.2.2 TINA-TI（免费软件下载）
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • D|8
  • P|8
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

5.4 电气特性

在 TA = 25°C、VS = ±15V、RL = 10kΩ、VREF = 0V、G = 10 时，所有芯片原产地 (CSO)，除非另有说明。
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
输入
VOS 失调电压 RTI(1)(2) 50 200 µV
失调电压漂移 TA = –40°C 至 +85°C，RTI(1)(2) 0.2 µV/℃
PSRR 电源抑制比 RTI(1)(2)，VS = ±6V 至 ±18V 1 10 µV/V
长期稳定性 10 µV/mo
ZIN-DM 差分阻抗 (3) 10 kΩ
ZIN-CM 共模阻抗(3) 110 kΩ
VCM 工作共模输入电压(4) -11 11 V
VDM 工作差分模式输入电压(4) -1 1 V
CMRR 共模抑制比(5) TA = -40°C 至 +125°C 86 100 dB
噪声电压
eN 电压噪声 RTI(1)(6) fO = 10kHz CSO：SHE 30 nV/√Hz
CSO：RFB 20
fB = 0.01Hz 至 10Hz CSO：SHE 1 µVPP
CSO：RFB 1.7
增益
G 初始增益 10 V/V
GE 增益误差 ±0.01 ±0.025 %
增益漂移 -4 ppm/°C
增益非线性 0.0002 0.001 FSR 百分比
输出
输出电压 IO = –5mA，20mA 10 12 V
负载电容稳定性 1000 pF
ISC 持续达 VS/2 拉电流 CSO：SHE 40 mA
CSO：RFB 70
灌电流 CSO：SHE 10
CSO：RFB 70
ZO 输出阻抗 0.01 Ω
频率响应
BW 带宽，–3dB 0.5 MHz
FPBW 全功率带宽，–3dB VO = 20Vpp 300 400 kHz
SR 压摆率 CSO：SHE 2 3 V/µs
CSO：RFB 20
tS 趋稳时间 0.1%，VSTEP = 10V 5 µs
0.01%，VSTEP = 10V 10 µs
0.01%、VCM-STEP = 10V、VDIFF = 0V 5 µs
电源
IQ 静态电流 VO = 0 V ±1.5 ±2 mA
(1) 参考差分配置中的输入。 
(2) 包括放大器输入偏置和偏移电流带来的影响。
(3) 25kΩ 电阻器比率匹配，但绝对值为 ±20%。
(4) 无保护功能时的最大输入电压比 ±15V 电源 (±25V) 高出 10V。将 IIN 限制为 1mA。
(5) 零源阻抗。
(6) 包括放大器输入电流噪声和电阻器网络热噪声带来的影响。