ZHCSJR0A October   2018  – MAY 2019 DRV8876

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
    1.     Device Images
      1.      简化原理图
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 引脚配置和功能
    1.     引脚功能
  6. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 额定值 - 通信
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  7. 7 详细 说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 功能 说明
      1. 7.3.1 外部元件
      2. 7.3.2 控制模式
        1. 7.3.2.1 PH/EN 控制模式（PMODE = 逻辑低电平）
        2. 7.3.2.2 PWM 控制模式（PMODE = 逻辑高电平）
        3. 7.3.2.3 独立半桥控制模式（PMODE = 高阻抗）
      3. 7.3.3 电流检测和调节
        1. 7.3.3.1 电流检测
        2. 7.3.3.2 电流调节
          1. 7.3.3.2.1 固定关断时间电流斩波
          2. 7.3.3.2.2 逐周期电流斩波
      4. 7.3.4 保护电路
        1. 7.3.4.1 VM 电源欠压锁定 (UVLO)
        2. 7.3.4.2 VCP 电荷泵欠压锁定 (CPUV)
        3. 7.3.4.3 OUT 过流保护 (OCP)
        4. 7.3.4.4 热关断 (TSD)
        5. 7.3.4.5 故障条件汇总
      5. 7.3.5 引脚图
        1. 7.3.5.1 逻辑电平输入
        2. 7.3.5.2 三电平输入
        3. 7.3.5.3 四电平输入
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 活动模式
      2. 7.4.2 低功耗睡眠模式
      3. 7.4.3 故障模式
  8. 8 应用和实现
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 主要应用
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计流程
          1. 8.2.1.2.1 电流检测和调节
          2. 8.2.1.2.2 功率耗散和输出电流能力
          3. 8.2.1.2.3 热性能
            1. 8.2.1.2.3.1 稳态热性能
            2. 8.2.1.2.3.2 瞬态热性能
        3. 8.2.1.3 应用曲线
      2. 8.2.2 备选应用
        1. 8.2.2.1 设计要求
        2. 8.2.2.2 详细设计流程
          1. 8.2.2.2.1 电流检测和调节
        3. 8.2.2.3 应用曲线
  9. 9 电源建议
    1. 9.1 大容量电容
  10. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
      1. 10.2.1 HTSSOP 布局示例
      2. 10.2.2 VQFN 布局示例
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 相关文档
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 社区资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 静电放电警告
    6. 11.6 Glossary
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • RGT|16
  • PWP|16
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.2.1.2.2 功率耗散和输出电流能力

此器件的输出电流和功率耗散能力在很大程度上取决于 PCB 设计和外部系统状况。本节提供了一些用于计算这些值的指导。

此器件的总功率耗散由三个主要部分组成。这三个组成部分是静态电源电流耗散、功率 MOSFET 开关损耗和功率 MOSFET RDS(on)（导电）损耗。尽管其他的一些因素可能会造成额外的功率损耗，但与这三个主要因素相比，其他因素通常并不重要。

Equation 8. PTOT = PVM + PSW + PRDS

可以根据标称电源电压 (VM) 和 IVM 活动模式电流规格来计算 PVM。

Equation 9. PVM = VM x IVM
Equation 10. PVM = 0.096W = 24V x 4mA

可以根据标称电源电压 (VM)、平均输出电流 (IRMS)、开关频率 (fPWM) 以及器件输出上升 (tRISE) 和下降 (tFALL) 时间规格来计算 PSW。

Equation 11. PSW = PSW_RISE + PSW_FALL
Equation 12. PSW_RISE = 0.5 x VM x IRMS x tRISE x fPWM
Equation 13. PSW_FALL = 0.5 x VM x IRMS x tFALL x fPWM
Equation 14. PSW_RISE = 0.018W = 0.5 x 24V x 0.5A x 150ns x 20kHz
Equation 15. PSW_FALL = 0.018W= 0.5 x 24V x 0.5A x 150ns x 20kHz
Equation 16. PSW = 0.036W = 0.018W + 0.018W

可以根据器件 RDS(on) 和平均输出电流 (IRMS) 来计算 PRDS。

Equation 17. PRDS = IRMS2 x (RDS(ON)_HS + RDS(ON)_LS)

需要注意的是，RDS(ON) 与器件的温度密切相关。可以在“典型特性”曲线中找到一条显示了标称 RDS(on) 和温度的曲线。假设器件温度为 85°C，根据标称温度数据，预计 RDS(on) 会增大大约 1.25 倍。

Equation 18. PRDS = 0.219W = 0.5A2 x (350mΩ x 1.25 + 350mΩ x 1.25)

通过将功率耗散的各个组成部分相加，可以确认预计的功率耗散和器件结温处于设计目标内。

Equation 19. PTOT = PVM + PSW + PRDS
Equation 20. PTOT= 0.351W = 0.096W + 0.036W + 0.219W

可以使用 PTOT、器件环境温度 (TA) 和封装热阻 (RθJA) 来计算器件结温。RθJA 的值在很大程度上取决于 PCB 设计以及器件周围的铜散热器。

Equation 21. TJ = (PTOT x RθJA) + TA
Equation 22. TJ = 97°C = (0.351W x 35°C/W) + 85°C

应确保器件结温处于指定的工作范围内。也可以通过其他方法根据可用的测量结果来确认器件结温。

可以在热性能和相关文档中找到有关电机驱动器电流额定值和功耗的其他信息。