ZHCSA48E July   2012  – July 2025 DRV8844

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 开关特性
    7. 5.7 典型特性
  7. 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 输出级
      2. 6.3.2 逻辑输入
      3. 6.3.3 电桥控制
      4. 6.3.4 电荷泵
      5. 6.3.5 保护电路
        1. 6.3.5.1 过流保护 (OCP)
        2. 6.3.5.2 热关断 (TSD)
        3. 6.3.5.3 欠压锁定 (UVLO)
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 nRESET 与 nSLEEP 运行
  8. 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 电机电压
      3. 7.2.3 应用曲线
    3.     电源相关建议
      1. 7.3.1 大容量电容
    4. 7.3 布局
      1. 7.3.1 布局指南
      2. 7.3.2 布局示例
      3. 7.3.3 散热注意事项
        1. 7.3.3.1 散热
      4. 7.3.4 功率耗散
  9. 器件和文档支持
    1. 8.1 文档支持
      1. 8.1.1 相关文档
    2. 8.2 社区资源
    3. 8.3 商标
  10. 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

功率耗散

DRV8844 中的功率耗散主要由输出 FET 电阻或 RDS(ON) 中耗散的功率决定。每个 H 桥在运行直流电机时的平均功耗可以通过方程式 1 大致估算。

方程式 1. DRV8844

其中

  • P 是一个 H 桥的耗散功率
  • RDS(ON) 是每个 FET 的导通电阻
  • IOUT 是施加到每个绕组的 RMS 输出电流

IOUT 等于直流电机消耗的平均电流。请注意,在启动和故障情况下,相应的电流远大于正常运行电流;需要将这些峰值电流及其持续时间也考虑在内。因数 2 来自这样的事实,即两个 FET 在任何时刻导通绕组电流(一个高侧和一个低侧)。

器件总耗散将是两个 H 桥中每一个耗散的总和。

器件中可耗散的最大功率取决于环境温度和散热。

请注意,RDS(ON) 随温度升高而增加,因此随着器件发热,功率耗散也会增大。在确定散热器尺寸时,必须考虑到这一点。