ZHCSQQ0B June   2022  – December 2024 DRV8329

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级 - 汽车
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 2pkg 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 三相 BLDC 栅极驱动器
        1. 7.3.1.1 PWM 控制模式
          1. 7.3.1.1.1 6x PWM 模式
          2. 7.3.1.1.2 3x PWM 模式
        2. 7.3.1.2 器件硬件接口
        3. 7.3.1.3 栅极驱动架构
          1. 7.3.1.3.1 传播延迟
          2. 7.3.1.3.2 死区时间和跨导保护
      2. 7.3.2 AVDD 线性稳压器
      3. 7.3.3 引脚图
      4. 7.3.4 低侧电流检测放大器
        1. 7.3.4.1 电流检测工作原理
      5. 7.3.5 栅极驱动器关断序列 (DRVOFF)
      6. 7.3.6 栅极驱动器保护电路
        1. 7.3.6.1 PVDD 电源欠压锁定 (PVDD_UV)
        2. 7.3.6.2 AVDD 上电复位 (AVDD_POR)
        3. 7.3.6.3 GVDD 欠压锁定 (GVDD_UV)
        4. 7.3.6.4 BST 欠压锁定 (BST_UV)
        5. 7.3.6.5 MOSFET VDS 过流保护 (VDS_OCP)
        6. 7.3.6.6 VSENSE 过流保护 (SEN_OCP)
        7. 7.3.6.7 热关断 (OTSD)
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 栅极驱动器功能模式
        1. 7.4.1.1 睡眠模式
        2. 7.4.1.2 运行模式
        3. 7.4.1.3 故障复位（nSLEEP 复位脉冲）
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 三相无刷直流电机控制
        1. 8.2.1.1 详细设计过程
          1. 8.2.1.1.1  电机电压
          2. 8.2.1.1.2  自举电容器和 GVDD 电容器选型
          3. 8.2.1.1.3  栅极驱动电流
          4. 8.2.1.1.4  栅极电阻器选型
          5. 8.2.1.1.5  大功率设计中的系统注意事项
            1. 8.2.1.1.5.1 电容器电压等级
            2. 8.2.1.1.5.2 外部功率级元件
            3. 8.2.1.1.5.3 并联 MOSFET 配置
          6. 8.2.1.1.6  死区时间电阻器选型
          7. 8.2.1.1.7  VDSLVL 选择
          8. 8.2.1.1.8  AVDD 功率损耗
          9. 8.2.1.1.9  电流检测和输出滤波
          10. 8.2.1.1.10 功率损耗和结温损耗
      2. 8.2.2 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
      1. 8.3.1 确定大容量电容器的大小
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
      3. 8.4.3 散热注意事项
        1. 8.4.3.1 功率耗散
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 器件命名规则
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 相关链接
    4. 9.4 接收文档更新通知
    5. 9.5 社区资源
    6. 9.6 商标
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 卷带包装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5 引脚配置和功能

DRV8329 DRV8329 REE 封装36 引脚 VQFN（带有外露散热焊盘）顶视图图 5-1 DRV8329 REE 封装36 引脚 VQFN（带有外露散热焊盘）顶视图
表 5-1 引脚功能 - 36 引脚 DRV8329 器件
名称引脚编号类型说明
DRV8329
AGND 25 PWR 器件模拟接地。有关连接的建议，请参阅。
AVDD26PWR-O3.3V 稳压器输出。在 AVDD 和 GND 引脚之间连接一个 X5R 或 X7R、1μF、>6.3V 陶瓷电容器。该稳压器可从外部拉取高达 80mA 的电流。TI 建议电容器的额定电压至少是引脚正常工作电压的两倍。
BSTA9O自举输出引脚。在 BSTA 和 SHA 之间连接一个 X5R 或 X7R、1µF、25V 的陶瓷电容器
BSTB13O自举输出引脚。在 BSTB 和 SHB 之间连接一个 X5R 或 X7R、1µF、25V 的陶瓷电容器
BSTC17O自举输出引脚。在 BSTC 和 SHC 之间连接一个 X5R 或 X7R、1µF、25V 的陶瓷电容器
CSAGAIN33I电流检测放大器的增益设置。该引脚是由外部电阻器设置的 4 电平输入引脚。有关更多信息，请参阅。
CSAREF1I电流检测放大器基准。在 CSAREF 和 AGND 引脚之间连接一个 X5R 或 X7R、0.1µF、6.3V 陶瓷电容器。
CPH7PWR电荷泵开关节点。在 CPH 引脚和 CPL 引脚之间连接一个 X5R 或 X7R、额定电压为 PVDD 的陶瓷电容器。TI 建议电容器的额定电压至少是引脚正常工作电压的两倍。
CPL6PWR
DRVOFF24I独立驱动器关断路径。通过将栅极驱动器置于下拉状态，将 DRVOFF 拉高可关断所有外部 MOSFET。该信号绕过并覆盖 DRV8329 的数字内核。
DT3I栅极驱动器死区时间设置。在 DT 和 GND 之间连接一个值介于 10kΩ 与 390kΩ 之间的电阻，以在 100ns 至 2000ns 之间调节死区时间。如果引脚悬空或连接到 GND，则会插入固定为 55ns 的死区时间。
GHA11O高侧栅极驱动器输出。连接到高侧功率 MOSFET 的栅极。
GHB15O高侧栅极驱动器输出。连接到高侧功率 MOSFET 的栅极。
GHC19O高侧栅极驱动器输出。连接到高侧功率 MOSFET 的栅极。
GLA12O低侧栅极驱动器输出。连接到低侧功率 MOSFET 的栅极。
GLB16O低侧栅极驱动器输出。连接到低侧功率 MOSFET 的栅极。
GLC20O低侧栅极驱动器输出。连接到低侧功率 MOSFET 的栅极。
GVDD8PWR-O栅极驱动器电源输出。在 GVDD 和 GND 引脚之间连接一个 X5R 或 X7R、额定电压为 30V、容值 ≥ 10uF 的陶瓷局部电容器。TI 建议使用大于 10 倍 CBSTx 的电容器容值和至少两倍于引脚正常工作电压的额定电压。
GND4PWR器件接地。有关连接的建议，请参阅。
INHA29IA 相的高侧栅极驱动器控制输入。该引脚控制高侧 FET 的输出。
INHB28IB 相的高侧栅极驱动器控制输入。该引脚控制高侧 FET 的输出。
INHC27IC 相的高侧栅极驱动器控制输入。该引脚控制高侧 FET 的输出。
INLA32IA 相的低侧栅极驱动器控制输入。该引脚控制低侧 FET 的输出。
INLB31IB 相的低侧栅极驱动器控制输入。该引脚控制低侧 FET 的输出。
INLC30IC 相的低侧栅极驱动器控制输入。该引脚控制低侧 FET 的输出。
LSS21PWR低侧源极引脚，连接此处外部低侧 MOSFET 的所有源极。该引脚是低侧栅极驱动器的灌电流路径，并用作监测低侧 MOSFET VDS 电压和 VSEN_OCP 电压的输入。
nFAULT35OD故障指示灯输出。该引脚在发生故障期间被拉至逻辑低电平，并且需要使用一个连接到 3.3V 至 5.0V 电压的外部上拉电阻器。
nSLEEP34I睡眠模式进入引脚。当该引脚被拉至逻辑低电平时，器件进入低功耗睡眠模式。可以使用一个 1µs 至 1.2µs 的低电平脉冲来复位故障条件，而不进入睡眠模式。
PVDD5PWR栅极驱动器电源输入。连接到电桥电源。在 PVDD 和 GND 引脚之间连接一个 X5R 或 X7R、0.1µF、额定电压 >2x PVDD、容值 >10uF 的陶瓷局部电容器。TI 建议电容器的额定电压至少是引脚正常工作电压的两倍。
SHA10I/O高侧源极引脚。连接到高侧功率 MOSFET 源极。该引脚是 VDS 监视器的输入和高侧栅极驱动器灌电流的输出。
SHB14I/O高侧源极引脚。连接到高侧功率 MOSFET 源极。该引脚是 VDS 监视器的输入和高侧栅极驱动器灌电流的输出。
SHC18I/O高侧源极引脚。连接到高侧功率 MOSFET 源极。该引脚是 VDS 监视器的输入和高侧栅极驱动器灌电流的输出。
SO2O电流检测放大器输出。支持容性负载或低通滤波器（串联电阻器和电容器至 GND）
SP22I电流采样放大器输入。连接到低侧功率 MOSFET 源极和电流采样电阻的高侧。
SN23I电流检测放大器输入。连接到电流采样电阻的低侧。
VDSLVL36IVDS 监测跳闸点设置。连接 0.1V 至 2.5V 的模拟电平输入，以便设置 VDS 监测跳闸点，从而实现 MOSFET 过流保护。有关更多信息，请参阅。
散热焊盘PWR必须连接到 GND