ZHCSQQ0B June   2022  – December 2024 DRV8329

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级 - 汽车
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 2pkg 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 三相 BLDC 栅极驱动器
        1. 7.3.1.1 PWM 控制模式
          1. 7.3.1.1.1 6x PWM 模式
          2. 7.3.1.1.2 3x PWM 模式
        2. 7.3.1.2 器件硬件接口
        3. 7.3.1.3 栅极驱动架构
          1. 7.3.1.3.1 传播延迟
          2. 7.3.1.3.2 死区时间和跨导保护
      2. 7.3.2 AVDD 线性稳压器
      3. 7.3.3 引脚图
      4. 7.3.4 低侧电流检测放大器
        1. 7.3.4.1 电流检测工作原理
      5. 7.3.5 栅极驱动器关断序列 (DRVOFF)
      6. 7.3.6 栅极驱动器保护电路
        1. 7.3.6.1 PVDD 电源欠压锁定 (PVDD_UV)
        2. 7.3.6.2 AVDD 上电复位 (AVDD_POR)
        3. 7.3.6.3 GVDD 欠压锁定 (GVDD_UV)
        4. 7.3.6.4 BST 欠压锁定 (BST_UV)
        5. 7.3.6.5 MOSFET VDS 过流保护 (VDS_OCP)
        6. 7.3.6.6 VSENSE 过流保护 (SEN_OCP)
        7. 7.3.6.7 热关断 (OTSD)
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 栅极驱动器功能模式
        1. 7.4.1.1 睡眠模式
        2. 7.4.1.2 运行模式
        3. 7.4.1.3 故障复位（nSLEEP 复位脉冲）
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 三相无刷直流电机控制
        1. 8.2.1.1 详细设计过程
          1. 8.2.1.1.1  电机电压
          2. 8.2.1.1.2  自举电容器和 GVDD 电容器选型
          3. 8.2.1.1.3  栅极驱动电流
          4. 8.2.1.1.4  栅极电阻器选型
          5. 8.2.1.1.5  大功率设计中的系统注意事项
            1. 8.2.1.1.5.1 电容器电压等级
            2. 8.2.1.1.5.2 外部功率级元件
            3. 8.2.1.1.5.3 并联 MOSFET 配置
          6. 8.2.1.1.6  死区时间电阻器选型
          7. 8.2.1.1.7  VDSLVL 选择
          8. 8.2.1.1.8  AVDD 功率损耗
          9. 8.2.1.1.9  电流检测和输出滤波
          10. 8.2.1.1.10 功率损耗和结温损耗
      2. 8.2.2 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
      1. 8.3.1 确定大容量电容器的大小
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
      3. 8.4.3 散热注意事项
        1. 8.4.3.1 功率耗散
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 器件命名规则
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 相关链接
    4. 9.4 接收文档更新通知
    5. 9.5 社区资源
    6. 9.6 商标
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 卷带包装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息
8.2.1.1.2 自举电容器和 GVDD 电容器选型

自举电容器的大小必须能够维持自举电压高于欠压锁定以实现正常运行。方程式 4 用于计算自举电容器上允许的最大压降：

方程式 4. DRV8329

=12V – 0.85V – 4.45V = 6.7V

其中

  • VGVDD 是栅极驱动器的电源电压
  • VBOOTD 是自举二极管的正向压降
  • VBSTUV 是自举欠压锁定的阈值

在该示例中，自举电容器上允许的压降为 6.7V。通常建议应尽可能降低自举电容器和 GVDD 电容器上的纹波电压。商业、工业和汽车应用中的常用纹波值介于 0.5V 和 1V 之间。

每个开关周期所需的总电荷可以通过方程式 5 进行估算：

方程式 5. QTOT=QG+ILBS_TRANfSW

=54nC + 115μA/20kHz = 54nC + 5.8nC = 59.8nC

其中

  • QG 是总 MOSFET 栅极电荷
  • ILBS_TRAN 是自举引脚漏电流
  • fSW 是 PWM 频率

假设 ΔVBSTx 为 1V，则最小自举电容器可通过以下公式进行估算：

方程式 6. DRV8329

= 59.8nC / 1V = 59.8nF

计算出的最小自举电容值为 59.8nF。请注意，这是全偏置电压条件下所需的电容值。实际应用中，自举电容值必须大于计算值，才能确保在功率级可能因各种瞬态条件而发生脉冲跳跃的情况下正常使用。在本示例中，建议使用 100nF 自举电容器。此外，还建议预留足够的裕度，并将自举电容器尽可能靠近 BSTx 和 SHx 引脚放置。

方程式 7. DRV8329

= 10*100nF= 1μF

对于该示例应用，选择 1µF CGVDD 电容器。选择电压等级至少是其将承受的最大电压两倍的电容器，因为大多数陶瓷电容器在偏置时会损失大量电容。该值还可提高系统的长期可靠性。

注： 对于需要以更长时间提供 100% 占空比支持的更高功率系统，建议使用 ≥1μF 的 CBSTx 和 ≥10μF 的 CGVDD。