ZHCSN21A April   2020  – June 2021

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 引脚配置和功能
    1.     引脚功能
  6. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议的操作条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
      1. 6.5.1 典型特性
  7. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 电桥控制
      2. 7.3.2 电流调节
      3. 7.3.3 衰减模式
        1. 7.3.3.1 混合衰减
        2. 7.3.3.2 快速衰减
        3. 7.3.3.3 智能调优动态衰减
        4. 7.3.3.4 智能调优纹波控制
        5. 7.3.3.5 消隐时间
      4. 7.3.4 电荷泵
      5. 7.3.5 线性稳压器
      6. 7.3.6 逻辑和四电平引脚图
        1. 7.3.6.1 nFAULT 引脚
      7. 7.3.7 保护电路
        1. 7.3.7.1 VM 欠压锁定 (UVLO)
        2. 7.3.7.2 VCP 欠压锁定 (CPUV)
        3. 7.3.7.3 过流保护 (OCP)
        4. 7.3.7.4 热关断 (OTSD)
        5.       故障条件汇总
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 睡眠模式 (nSLEEP = 0)
      2. 7.4.2 工作模式 (nSLEEP = 1)
      3. 7.4.3 nSLEEP 复位脉冲
      4.      功能模式汇总
  8. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 电流调节
          1. 8.2.2.1.1 功率损耗和热量计算
          2. 8.2.2.1.2 应用曲线
  9. 9 电源相关建议
    1. 9.1 确定大容量电容的大小
  10. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 相关文档
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 支持资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 Electrostatic Discharge Caution
    6. 11.6 术语表
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

10.1 布局指南

应使用一个推荐电容为 0.01 µF 且额定电压为 VM 的低 ESR 陶瓷旁路电容器将 VM 引脚旁路至 PGND。该电容器应尽可能靠近 VM 引脚放置，并通过粗迹线或接地平面与器件 PGND 引脚连接。

必须使用额定电压为 VM 的大容量电容器将 VM 引脚旁路至接地。该组件可以是电解电容器。

必须在 CPL 和 CPH 引脚之间放置一个低 ESR 陶瓷电容器。建议使用一个电容值为 0.022 µF、额定电压为 VM 的电容器。将此组件尽可能靠近引脚放置。

必须在 VM 和 VCP 引脚之间放置一个低 ESR 陶瓷电容器。建议使用一个电容值为 0.22 µF、额定电压为 16V 的电容器。将此组件尽可能靠近引脚放置。

OUT1 引脚（HTSSOP 封装的引脚 4、5、10、11；QFN 封装的引脚 3、6）必须使用粗 PCB 迹线连接在一起。同样，OUT2 引脚（HTSSOP 封装的引脚 6、7、8、9；QFN 封装的引脚 4、5）必须使用粗 PCB 迹线连接在一起。

使用低 ESR 陶瓷电容器将 DVDD 引脚旁路至接地。建议使用一个电容为 0.47 µF、额定电压为 6.3V 的电容器。将此旁路电容器尽可能靠近引脚放置。

散热焊盘必须连接到系统接地。若要驱动超过 5A 的峰值电流，可能需要在器件附近放置一个散热器。