ZHCSZ01
August 2025
DRV8002-Q1
PRODUCTION DATA
1
1
特性
2
应用
3
说明
4
器件比较
5
引脚配置和功能
6
规格
6.1
绝对最大额定值
6.2
ESD 等级 - 汽车
6.3
建议运行条件
6.4
热性能信息 RGZ 封装
6.5
电气特性
6.6
时序要求
7
详细说明
7.1
概述
7.2
功能方框图
7.3
外部组件
7.4
特性说明
7.4.1
高侧驱动器
7.4.1.1
高侧驱动器控制
7.4.1.1.1
高侧驱动器 PWM 发生器
7.4.1.1.2
恒流模式
7.4.1.1.3
OUTx HS ITRIP 行为
7.4.1.1.4
高侧驱动器 - 并行输出
7.4.1.2
高侧驱动器保护电路
7.4.1.2.1
高侧驱动器内部二极管
7.4.1.2.2
高侧驱动器短路保护
7.4.1.2.3
高侧驱动器过流保护
7.4.1.2.4
高侧驱动器开路负载检测
7.4.2
半桥驱动器
7.4.2.1
半桥控制
7.4.2.2
OUT1 和 OUT2 高侧驱动器模式
7.4.2.3
半桥寄存器控制
7.4.2.4
半桥 ITRIP 调节
7.4.2.5
半桥保护和诊断
7.4.2.5.1
半桥关断状态诊断 (OLP)
7.4.2.5.2
半桥开路负载检测
7.4.2.5.3
半桥过流保护
7.4.3
栅极驱动器
7.4.3.1
输入 PWM 模式
7.4.3.1.1
半桥控制
7.4.3.1.2
H 桥控制
7.4.3.1.3
DRVOFF - 栅极驱动器关断引脚
7.4.3.2
智能栅极驱动器 - 功能方框图
7.4.3.2.1
智能栅极驱动器
7.4.3.2.2
功能方框图
7.4.3.2.3
压摆率控制 (IDRIVE)
7.4.3.2.4
栅极驱动器状态机 (TDRIVE)
7.4.3.2.4.1
tDRIVE 计算示例
7.4.3.2.5
传播延迟降低 (PDR)
7.4.3.2.6
PDR 预充电/预放电控制环路运行详细信息
7.4.3.2.7
PDR 后充电/后放电控制环路运行详细信息
7.4.3.2.7.1
PDR 充电后/放电后设置
7.4.3.2.8
检测驱动和续流 MOSFET
7.4.3.2.9
自动占空比补偿 (DCC)
7.4.3.2.10
闭环压摆时间控制 (STC)
7.4.3.2.10.1
STC 控制环路设置
7.4.3.3
三倍器(双极)电荷泵
7.4.3.4
宽共模差分电流分流放大器
7.4.3.5
栅极驱动器保护电路
7.4.3.5.1
MOSFET VDS 过流保护 (VDS_OCP)
7.4.3.5.2
栅极驱动器故障 (VGS_GDF)
7.4.3.5.3
离线短路和开路负载检测(OOL 和 OSC)
7.4.4
检测输出 (IPROPI)
7.4.5
保护电路
7.4.5.1
故障复位 (CLR_FLT)
7.4.5.2
DVDD 逻辑电源上电复位 (DVDD_POR)
7.4.5.3
PVDD 电源欠压监测器 (PVDD_UV)
7.4.5.4
PVDD 电源过压监测器 (PVDD_OV)
7.4.5.5
VCP 电荷泵欠压锁定 (VCP_UV)
7.4.5.6
热仪表组
7.4.5.7
看门狗计时器
7.4.5.8
故障检测和响应汇总表
7.5
编程
7.5.1
串行外设接口 (SPI)
7.5.2
SPI 格式
7.5.3
时序图
8
DRV8002-Q1 寄存器映射
8.1
DRV8000-Q1_STATUS 寄存器
8.2
DRV8000-Q1_CNFG 寄存器
8.3
DRV8000-Q1_CTRL 寄存器
9
应用和实施
9.1
应用信息
9.2
典型应用
9.2.1
设计要求
9.2.2
详细设计过程
9.2.2.1
IDRIVE 计算示例
9.2.2.2
tDRIVE 计算示例
9.2.2.3
最大 PWM 开关频率
9.2.2.4
电流分流放大器配置
9.3
初始化设置
9.4
电源相关建议
9.4.1
确定大容量电容器的大小
9.5
布局
9.5.1
布局指南
9.5.2
布局示例
10
器件和文档支持
10.1
接收文档更新通知
10.2
支持资源
10.3
商标
10.4
静电放电警告
10.5
术语表
11
预量产版修订历史记录
12
机械、封装和可订购信息
12.1
封装选项附录
12.2
卷带包装信息
封装选项
机械数据 (封装 | 引脚)
RGZ|48
MPQF123F
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
RGZ|48
QFND585
订购信息
zhcsz01_oa
1
特性
符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准:
温度等级 1:–40°C 至 +125°C,T
A
以功能安全合规型为目标
专为功能安全应用开发
用于辅助 ISO26262 系统设计的文档
系统完整性高达 ASIL D 级
硬件完整性高达 ASIL B 级
5V 至 35V(最大绝对值为 40V)工作电压范围
H 桥或双通道半桥栅极驱动器
智能栅极驱动架构
三倍电荷泵可实现 100% PWM
宽共模电流分流放大器
1 个集成半桥,I
OUT
最大为 8A(R
DSON
= HS +LS FET = 155mΩ)
1 个集成半桥,I
OUT
最大为 7A(R
DSON
= HS +LS FET = 185mΩ)
2 个集成半桥,I
OUT
最大为 4A(R
DSON
= HS +LS FET = 440mΩ)
2 个集成半桥,I
OUT
最大为 1.3A 负载(R
DSON
= HS +LS FET = 1540mΩ)
1 个可配置的集成高侧驱动器,可用作灯或 LED 驱动器,I
OUT
最大为 1.5/0.5A (R
DSON
= 0.4/1.2Ω)
5 个可配置的集成高侧驱动器,适用于 0.5/0.25A 负载 (R
DSON
= 1.2Ω)
用于高侧驱动器的内部 10 位 PWM 发生器
所有高侧驱动器均支持低电流或高电流阈值恒定电流模式,以驱动各种 LED 模块
集成驱动器输出具有电流调节功能 (ITRIP)
可多路复用的检测输出 (IPROPI)
具有比例电流输出 (IPROPI) 的内部电流检测
具有多个热仪表组的高级芯片温度监控
电机电源电压监控器
具有可配置故障行为的保护和诊断性能
在断开状态和导通状态下进行负载诊断,以检测开路负载和短路
和过热保护
器件比较表