ZHCSHE8C January   2018  – December 2023 DRV5055

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 磁特性
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 磁通量方向
      2. 6.3.2 磁响应
      3. 6.3.3 灵敏度线性度
      4. 6.3.4 比例式架构
      5. 6.3.5 工作 VCC 范围
      6. 6.3.6 磁体的灵敏度温度补偿
      7. 6.3.7 开通时间
      8. 6.3.8 霍尔元件位置
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 选择灵敏度选项
      2. 7.1.2 磁体的温度补偿
      3. 7.1.3 添加一个低通滤波器
      4. 7.1.4 断线检测设计
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 优秀设计实践
    4. 7.4 电源相关建议
    5. 7.5 布局
      1. 7.5.1 布局指南
      2. 7.5.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 文档支持
      1. 8.1.1 相关文档
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

DRV5055 是一款线性霍尔效应传感器，可按比例响应磁通量密度。该器件可用于在各种应用中进行精确的位置检测。

该器件由 3.3V 或 5V 电源供电。当不存在磁场时，模拟输出可驱动 1/2 VCC。输出会随施加的磁通量密度呈线性变化，四个灵敏度选项可根据所需的检测范围提供最大的输出电压摆幅。南北磁极产生唯一的电压。

该器件可检测垂直于封装顶部的磁通量，两个封装选项可提供不同的检测方向。

该器件使用比例式架构，当外部模数转换器 (ADC) 使用相同的 VCC 作为其基准电压时，可消除 VCC 容差产生的误差。此外，该器件具有磁体温度补偿功能，可抵消磁体漂移，在 –40°C 至 125°C 的宽温度范围内实现线性性能。还提供了无磁体漂移温度补偿的器件选项。

封装信息
器件型号 封装(1) 封装尺寸(2)
DRV5055 DBZ（SOT-23，3） 2.92mm × 2.37mm
LPG（TO-92，3） 4.00mm x 1.52mm
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
(2) 封装尺寸（长 × 宽）为标称值，并包括引脚（如适用）
GUID-BF3803AC-11F2-4CDD-93EE-606BF2FAD07A-low.gif 典型电路原理图
GUID-0250D1D3-534C-46B0-B258-FD29097D9C7D-low.gif 磁响应