ZHCSI80C november   2017  – may 2023 DRV3245Q-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1特性
  3. 2应用
  4. 3说明
  5. 4Revision History
  6. 5Device and Documentation Support
    1. 5.1 Device Support
      1. 5.1.1 Device Nomenclature
    2. 5.2 Documentation Support
      1. 5.2.1 Related Documentation
    3. 5.3 接收文档更新通知
    4. 5.4 支持资源
    5. 5.5 Trademarks
    6. 5.6 静电放电警告
    7. 5.7 术语表
  7. 7Mechanical, Packaging, and Orderable Information
    1. 7.1 Package Option Addendum
    2. 7.2 Tape and Reel Information
    3. 7.3 Mechanical Data

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

1 特性

  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准：
    • 器件温度等级 1：
      –40°C 至 +125°C，TA
  • SafeTI™ 半导体组件
    • 根据 ISO 26262 标准的相应要求开发
  • 4.5V 至 45V 工作电压范围
  • 可编程峰值栅极驱动电流高达 1A
  • 支持 100% 占空比的电荷泵栅极驱动器
  • 分流放大器和相位比较器
    • A/C 器件：3 个分流放大器(1) 和三相比较器，具有状态，通过 SPI (1)
    • B 器件：2 个分流放大器和三相比较器，具有实时监控器，通过数字引脚
    • S 器件：3 个分流放大器
  • 高达 20kHz 的 3 PWM 或 6 PWM 输入控制
  • 能够进行单 PWM 模式换向
  • 支持 3.3V 和 5V 数字接口
  • 串行外设接口 (SPI)
  • 耐热增强型 48 引脚 HTQFP 封装
  • 保护特性：
    • 内部稳压器、电池电压监控器
    • SPI CRC
    • 时钟监控器
    • 模拟内置自检
    • 可编程的死区时间控制
    • MOSFET 击穿保护
    • MOSFET VDS 过流监视器
    • 栅源电压实时监控器
    • 过热警告和关断
1. C 器件：低温漂精密放大器