ZHCSMI0E September   2020  – November 2022 DP83TG720S-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 引脚配置和功能
    1.     引脚功能
    2. 5.1 引脚状态
    3. 5.2 引脚电源域
  6. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 时序要求
    7. 6.7 时序图
    8. 6.8 LED 驱动特性
  7. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 诊断工具套件
        1. 7.3.1.1 信号质量指示器
        2. 7.3.1.2 时域反射计
        3. 7.3.1.3 数据路径内置自检
          1. 7.3.1.3.1 环回模式
          2. 7.3.1.3.2 数据生成器
          3. 7.3.1.3.3 编程数据路径 BIST
        4. 7.3.1.4 温度和电压检测
        5. 7.3.1.5 静电放电检测
      2. 7.3.2 合规性测试模式
        1. 7.3.2.1 测试模式 1
        2. 7.3.2.2 测试模式 2
        3. 7.3.2.3 测试模式 4
        4. 7.3.2.4 测试模式 5
        5. 7.3.2.5 测试模式 6
        6. 7.3.2.6 测试模式 7
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1  断电
      2. 7.4.2  复位
      3. 7.4.3  待机
      4. 7.4.4  正常
      5. 7.4.5  睡眠
      6. 7.4.6  状态转换
        1. 7.4.6.1 状态转换 #1 - 待机到正常
        2. 7.4.6.2 状态转换 #2 - 正常到待机
        3. 7.4.6.3 状态转换 #3 - 正常到睡眠
        4. 7.4.6.4 状态转换 #4 - 睡眠到正常
      7. 7.4.7  媒体相关接口
        1. 7.4.7.1 MDI 主模式和 MDI 从模式配置
        2. 7.4.7.2 自动极性检测和校正
      8. 7.4.8  MAC 接口
        1. 7.4.8.1 简化千兆位媒体独立接口
        2. 7.4.8.2 串行千兆位媒体独立接口
      9. 7.4.9  串行管理接口
      10. 7.4.10 直接寄存器访问
      11. 7.4.11 扩展寄存器空间访问
      12. 7.4.12 写入地址操作
        1. 7.4.12.1 示例 - 写入地址操作
      13. 7.4.13 读取地址操作
        1. 7.4.13.1 示例 - 读取地址操作
      14. 7.4.14 写入操作（无后增量）
        1. 7.4.14.1 示例 - 写入操作（无后增量）
      15. 7.4.15 读取操作（无后增量）
        1. 7.4.15.1 示例 - 读取操作（无后增量）
      16. 7.4.16 写入操作（有后增量）
        1. 7.4.16.1 示例 - 写入操作（有后增量）
      17. 7.4.17 读取操作（有后增量）
        1. 7.4.17.1 示例 - 读取操作（有后增量）
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 搭接配置
      2. 7.5.2 LED 配置
      3. 7.5.3 PHY 地址配置
    6. 7.6 寄存器映射
      1. 7.6.1 寄存器访问汇总
      2. 7.6.2 DP83TG720 Registers
        1. 7.6.2.1 基址寄存器
  8. 8 应用和实现
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
  9. 9 电源相关建议
  10. 10与 TI 的 100BT1 PHY 兼容
  11. 11布局
    1. 11.1 布局指南
      1. 11.1.1 信号布线
      2. 11.1.2 返回路径
      3. 11.1.3 物理媒体连接
      4. 11.1.4 金属浇注
      5. 11.1.5 PCB 层堆叠
  12. 12器件和文档支持
    1. 12.1 接收文档更新通知
    2. 12.2 支持资源
    3. 12.3 商标
    4. 12.4 Electrostatic Discharge Caution
    5. 12.5 术语表
  13. 13机械、封装和可订购信息
    1. 13.1 封装选项附录
      1. 13.1.1 封装信息
      2. 13.1.2 卷带封装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.6.1 寄存器访问汇总

有两种不同方法可用于访问字段内寄存器。直接寄存器访问方法仅适用于 MMD1F 寄存器空间的前 31 个寄存器（0x0h 至 0x1Fh）。访问 0x1Fh 以上的寄存器时，必须使用Topic Link Label7.4.11 中所述间接方法（扩展寄存器空间）。

表 7-21 MMD 寄存器空间划分
MMD 寄存器空间寄存器地址范围
MMD1F0x000 - 0x0EFD
MMD10x1000 - 0x1904
MMD30x3000 - 0x390D
MMD70x7000 - 0x7200
表 7-22 寄存器访问汇总
寄存器字段寄存器访问方法
0x0h 至 0x1Fh直接访问
间接访问，MMD1F = '11111'
示例：如需读取无后增量 MMD1F 字段中的寄存器 0x17h
第 1) 步：将 0x1Fh 写入寄存器 0xDh
第 2) 步：将 0x17h 写入寄存器 0xEh
第 3) 步：将 0x401Fh 写入寄存器 0xDh
第 4) 步：读取寄存器 0xEh
MMD1F 字段
0x20h - 0xFFFh		间接访问，MMD1F = '11111'
示例：如需读取无后增量 MMD1F 字段中的寄存器 0x462h
第 1) 步：将 0x1Fh 写入寄存器 0xDh
第 2) 步：将 0x462h 写入寄存器 0xEh
第 3) 步：将 0x401Fh 写入寄存器 0xDh
第 4) 步：读取寄存器 0xEh
MMD1 字段
0x0000h - 0x0FFFh		间接访问，MMD1 = '00001'
示例：如需读取无后增量 MMD1 字段中的寄存器 0x7h
第 1) 步：将 0x1h 写入寄存器 0xDh
第 2) 步：将 0x7h 写入寄存器 0xEh
第 3) 步：将 0x4001h 写入寄存器 0xDh
第 4) 步：读取寄存器 0xEh