ZHCSY65 July 2025 DLPC8424 , DLPC8444 , DLPC8454
PRODUCTION DATA
| I/O | |||
|---|---|---|---|
| 下标 | 说明 | 电源基准 | ESD 结构 |
| 1 | 仅限 LVCMOS 1.8V | VDDS18_LVCMOS1 | 连接到电源轨和 GND 的 ESD 二极管 |
| 2 | 仅限 LVCMOS 1.8V | VDDS18_LVCMOS2 | 连接到电源轨和 GND 的 ESD 二极管 |
| 3 | LVCMOS 1.8/3.3V | VDDSHV_INTF | 连接到电源轨和 GND 的 ESD 二极管 |
| 4 | 差分 FPD LVDS | VDDA18_FPD | 连接到电源轨和 GND 的 ESD 二极管 |
| 5 | 差分 V-by-One | VDDA18_VX1 | 连接到电源轨和 GND 的 ESD 二极管 |
| 6 | 差分 DSI | VDDA18_DSI | 连接到电源轨和 GND 的 ESD 二极管 |
| 7 | USB 2.0 | VDDA18_USB、VDDA33_USB | 连接到电源轨和 GND 的 ESD 二极管 |
| 8 | 基准振荡器输入 | VDDS18_OSC | 连接到电源轨和 GND 的 ESD 二极管 |
| 9 | 仅限 LVCMOS 1.8V 6.5mA | VDDS18_LVCMOS1 | 连接到电源轨和 GND 的 ESD 二极管 |
| 10 | 仅限 LVCMOS 1.8V 8mA | VDDS18_LVCMOS1 | 连接到电源轨和 GND 的 ESD 二极管 |
| 11 | 仅限 LVCMOS 1.8V 12mA | VDDS18_LVCMOS1 | 连接到电源轨和 GND 的 ESD 二极管 |
| 12 | 仅限 LVCMOS 1.8V 24mA | VDDS18_LVCMOS1 | 连接到电源轨和 GND 的 ESD 二极管 |
| 13 | 仅限 LVCMOS 1.8V 6.5mA | VDDS18_LVCMOS2 | 连接到电源轨和 GND 的 ESD 二极管 |
| 14 | 仅限 LVCMOS 1.8V 8mA | VDDS18_LVCMOS2 | 连接到电源轨和 GND 的 ESD 二极管 |
| 15 | 差分 SubLVDS 1.8V | VDDA18_DDI | 连接到电源轨和 GND 的 ESD 二极管 |
| 16 | LVCMOS 1.8/3.3V 8mA | VDDSHV_FLSH | 连接到电源轨和 GND 的 ESD 二极管 |
| 17 | LVCMOS 1.8/3.3V 7.5mA | VDDSHV_INTF | 连接到电源轨和 GND 的 ESD 二极管 |
| 18 | I2C 1.8/3.3V,3mA (3.3V) | VDDSHV_INTF | 连接到电源轨和 GND 的 ESD 二极管 |
| 类型 | |||
| I | 输入 | 不适用 | |
| O | 输出 | ||
| B | 双向 | ||
| PWR | 电源 | ||
| RTN | 接地回路 | ||