ZHCSY65 July 2025 DLPC8424 , DLPC8444 , DLPC8454
PRODUCTION DATA
| 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 电源电压(2) | |||||
| VDD_CORE | 0.8V(标称值),用于内核逻辑 | -0.3 | 1.05 | V | |
| VDDAR_CORE | SRAM 内核(0.8V 标称值) | -0.3 | 1.05 | V | |
| VDDS18_LVCMOS1 | 1.8V(标称值)固定 IO 电源,左侧 | -0.3 | 2.2 | V | |
| VDDS18_LVCMOS2 | 1.8V(标称值)固定 IO 电源,右侧 | -0.3 | 2.2 | V | |
| VDDA_CORE_DSI | 0.8V(标称值),用于 DSI | -0.3 | 1.05 | V | |
| VDDA18_DSI | 1.8V(标称值),用于 DSI | -0.3 | 2.2 | V | |
| VDDA_CORE_FPD | 0.8V(标称值)固定电源,用于 FPD 内核 | -0.3 | 1.05 | V | |
| VDDA18_FPD | 1.8V(标称值)固定电源,用于 FPD I/O | -0.3 | 2.2 | V | |
| VDDA_CORE_Vx1 | 0.8V(标称值)固定电源,用于 Vx1 内核 | -0.3 | 1.05 | V | |
| VDDA18_Vx1 | 1.8V(标称值)固定电源,用于 Vx1 I/O | -0.3 | 2.2 | V | |
| VDDA_CORE_USB | 0.8V(标称值),用于 USB 控制器 | -0.3 | 1.05 | V | |
| VDDA18_USB | 1.8V(标称值),用于 USB Phy | -0.3 | 2.2 | V | |
| VDDA33_USB | 3.3V(标称值),用于 USB Phy | -0.3 | 3.6 | V | |
| VDDSHV_INTF | 1.8V 或 3.3V(标称值)多电压 IO 电源,用于 SPI 和 I2C I/O(包括 GPIO[8:0]),支持 PAD1000 代替 PMIC I/O。也称为 HOST_IRQ。 | -0.3 | 3.8 | V | |
| VDDSHV_FLSH | 1.8V 或 3.3V(标称值)多电压 IO 电源,用于四通道串行闪存接口 | -0.3 | 3.8 | V | |
| VDDA18_DDI | 1.8V(标称值)固定 IO 电源,用于 SubLVDS DMD 接口 | -0.3 | 2.2 | V | |
| VDDS18_OSC | 1.8V(标称值)固定电源,用于基准振荡器 I/O | -0.3 | 2.2 | V | |
| VDDA18_PLLM | 1.8V(标称值),用于主 I/F PLL | -0.3 | 2.2 | V | |
| VDDA18_PLLD | 1.8V(标称值),用于 DMD I/F PLL | -0.3 | 2.2 | V | |
| LDO INTF | |||||
| CAP_VDDS_INTF | 用于 3.3V/1.8V 双电压接口 I/O 的外部电容器 | 1.8 | 1.98 | V | |
| CAP_VDDS_FLSH | 用于 3.3V/1.8V 双电压闪存 I/O 的外部电容器 | ||||
| 通用 | |||||
| TJ | 工作结温 | -30 | 115 | °C | |
| TC | 工作外壳温度 | -30 | 105 | °C | |
IO 引脚的瞬态过冲和下冲 | 20% 信号周期期间 20% 的 IO 电源电压(请参阅图 6-1,IO 瞬态电压范围)。 | 0.2×VDD | V | ||
| Tstg | 贮存温度范围 | -40 | 125 | °C | |